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半导体技术
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半导体技术类文章8100篇，页次：1/30页 【第一页‖ 上一页 ‖ 下一页‖最后页】 转到   页
 一种具有新型结终端的横向功率MOS仿[本文77页]  基于LPCVD-SiNx介质的GaN基器件界面[本文102页]  超声波辅助乙酸溶液球磨制备金属氧[本文80页]
 InGaAs纳米结构的制备及光电特性研[本文55页]  掺杂对MoS_2吸附气体性能的理论研究[本文60页]  Zn-Sn氧化物薄膜溶胶凝胶法制备及光[本文160页]
 窄尺寸分布的CdSe纳米晶碗状超结构[本文59页]  花状Bi_2WO_6微球与Bi_2WO_6-Fe_2O[本文73页]  基于标准CMOS工艺的Si-LEDs及其构成[本文71页]
 具有非线性电流—电压特性的CaCu_3[本文57页]  一维氮化镓纳米材料的制备及其光催[本文83页]  盐雾环境中烧结纳米银互连材料的电[本文72页]
 应变硅细—微观实验测量表征[本文78页]  4H-SiC载流子寿命增强方法研究[本文87页]  新型SiC沟槽IGBT的模拟研究[本文78页]
 4H-SiC非均匀掺杂浮结UMOSFET的模拟[本文74页]  不同非极性与半极性Ⅲ族氮化物材料[本文80页]  中子-γ辐照对SiO_2/Si位移损伤模拟[本文91页]
 常开型SiC JFET功率器件的热可靠性[本文86页]  半绝缘4H-SiC光导开关研究[本文73页]  MgZnO/ZnO异质结量子输运特性研究[本文68页]
 基于悬浮纳米薄膜的应变锗LED研究[本文74页]  ZnMgO/ZnO异质结高场输运特性的Mon[本文64页]  多晶硅定向凝固的热场模拟与静态磁[本文77页]
 硅晶体生长各向异性的分子动力学模[本文73页]  GaN-MOCVD垂直喷淋式反应室的优化设[本文70页]  砷化镓近红外光致发光的核酸调控和[本文82页]
 硅片低温直接键合方法研究[本文59页]  Cu_2CdSnSe_4化合物的合成及热电性[本文68页]  在改型的p型Si衬底上制备具有非极性[本文88页]
 电流辅助烧结纳米银焊膏的快速互连[本文71页]  半导体制造中嵌套性工艺参数的统计[本文86页]  数字无掩膜光刻技术及其大面积曝光[本文82页]
 光栅光刻机干涉条纹周期和波前的测[本文79页]  基于超声的锡基钎料芯片键合界面反[本文72页]  步进—闪光式纳米压印模板之力学分析[本文73页]
 晶圆厂炉管设备TEOS的产能提升研究[本文64页]  转接板生产线关键设备综合效率的研究[本文78页]  基于嵌入式的晶圆类型测试系统研制[本文60页]
 太赫兹波段GaN肖特基势垒IMPATT二极[本文85页]  3900LED分选机分料机构优化设计[本文84页]  Si/Ge/Si异质横向PiN二极管载流子分[本文77页]
 基于横向PiN二极管固态等离子体微波[本文75页]  GaN基太赫兹耿氏二极管新结构研究[本文82页]  GaN基长波紫外LED多量子阱结构调整[本文83页]
 GaN基紫外LED多量子阱势阱层材料生[本文74页]  LED驱动器中功率因数校正技术研究[本文95页]  阱区结构对硅衬底GaN基LED器件光电[本文101页]
 电极结构及COB封装影响LED芯片光、[本文78页]  LED封装用导电银胶的研发与制备[本文53页]  ZnO/MgO/环氧树脂基复合封装材料对[本文51页]
 高压SiC BJT在脉冲功率领域的快速驱[本文86页]  基于MATLAB编程的HBT集成电路温度分[本文73页]  高压大容量IGBT串联动态均压技术研[本文65页]
 基于广义端口特性的IGBT功率模块可[本文87页]  计及疲劳累积效应的IGBT模块焊料层[本文79页]  p型氧化物薄膜及晶体管的制备与性能[本文56页]
 溶液法制备氧化铪介电层及其在薄膜[本文54页]  基于有机薄膜晶体管的电子纸显示器[本文65页]  非晶硅薄膜晶体管PECVD成膜工艺的优[本文59页]
 IGBT机理建模及驱动问题研究[本文68页]  基于闭环控制的IGBT并联均流方法研[本文66页]  可控硅中频电源启动过程建模与控制[本文69页]
 可控硅全桥整流故障诊断与可靠触发[本文59页]  三嗪和吡嗪类热致延迟荧光材料的合[本文82页]  d_(36)压电晶片激发管中导波的特性[本文69页]
 1200V碳化硅MOSFET的仿真设计和优化[本文61页]  InAlN/GaN HEMT的直流特性及电流崩[本文65页]  带栅场板和新型漏场板的AlGaN/GaN [本文77页]
 GaN基FP-HEMT器件的新结构与解析模[本文90页]  高κ叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特[本文74页]  用于微光CCD的关联成像软件开发[本文102页]
 Y_2O_3/Si MOS电容制备及特性研究[本文82页]  高K/GaAs MOS界面特性仿真研究[本文72页]  基于SiC功率器件的光伏系统DC-DC设[本文88页]
 基于电场调制的新型横向超结功率器件[本文92页]  纳米MOS器件TID与HCI效应关联分析[本文71页]  基于电荷平衡的超结LDMOS仿真和工艺[本文74页]
 65nm工艺下MOSFET的总剂量辐照效应[本文74页]  基于场板和LDD技术的AlGaN/GaN HEM[本文77页]  硅通孔热应力对于器件性能的影响的[本文75页]
 非共振等离子体波THz器件响应研究[本文80页]  薄势垒F注入AlGaN/GaN HEMT器件特性[本文89页]  NMOS器件热载流子效应研究[本文82页]
 凹槽栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性[本文101页]  新型低压LDMOS结构设计与仿真[本文77页]  基于应力调控的硅基氮化镓材料和器[本文77页]
 GaN基Ka波段HEMT器件及MMIC功率放大[本文84页]  GaN基HEMT器件的变温特性研究[本文104页]  GaN基增强型HEMT器件及E/D模电路研[本文76页]
 AlGaN/GaN HEMT建模与电路设计[本文94页]  表面处理对AlGaN/GaN HEMT器件电学[本文75页]  X波段GaN MMIC功率放大器设计[本文92页]
 增强型双异质结器件特性研究[本文87页]  透明栅AlGaN/GaN HEMT器件退火及光[本文83页]  新型沟槽LDMOS和N型覆盖层超结LDMO[本文73页]
 高介电常数叠栅介质的淀积工艺与特[本文79页]  隧穿场效应晶体管工艺及新结构的仿[本文77页]  新型AlGaN基电力电子器件研究[本文87页]
 非极性面AlGaN/GaN异质结各向异性迁[本文62页]  具有新型栅结构的4H-SiC MESFETs设[本文77页]  针对缓冲层改进的4H-SiC MESFETs新[本文73页]
 基于FinFET SRAM单粒子效应仿真研究[本文79页]  InAlGaN/AlGaN复合势垒层的GaN异质[本文82页]  膦酸自组装层（SAMs）在n型有机场效[本文89页]
 便携式线阵CCD综合测量仪的设计与实[本文65页]  延伸摩尔定律[本文110页]  TFET单元库设计技术研究[本文73页]
 一种低导通电阻60V Trench MOSFET的[本文70页]  基于横向可变降低表面电场技术的新[本文55页]  功率MOSFET的开关动态过程建模和优[本文52页]
 基于场效应管串并联拓扑结构的高压[本文57页]  BaTiO_3基无铅PTC热敏电阻器性能优[本文72页]  高温NTC热敏电阻的研究[本文69页]
 射频电源三次谐波谐振控制技术的研究[本文80页]  二极管检波效率测试系统设计与开发[本文67页]  大直径直拉式单晶炉等径控制系统的[本文88页]
 基于有限元分析的功率器件封装热阻[本文70页]  磷化铟纳米线及其平面阵列的制备和[本文71页]  硅量子面表面键合的实验与计算研究[本文61页]
 AlGaN超晶格界面调控及其电学特性[本文74页]  ZnO、NiO薄膜和n-ZnO/p-NiO异质结结[本文75页]  离子注入法制备的金属纳米颗粒的同[本文51页]
 大功率LED芯片封装散热问题研究[本文60页]  高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计[本文92页]  ALD氧化锌薄膜晶体管制备与稳定性研[本文90页]
 微纳器件介电薄膜的制造工艺与特性[本文83页]  新型3D钙钛矿材料电致发光器件研究[本文61页]  二氧化硅磨粒结构对单晶硅表面微观[本文75页]
 温度对单晶硅水下微观磨损的影响[本文82页]  温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻[本文67页]  水导激光切割晶圆预对准及水束激光[本文68页]
 谐振式单开关多路输出Boost LED驱动[本文81页]  垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气[本文50页]  氧化锌薄膜晶体管的工作特性解析[本文57页]
 脉冲功率系统中IGBT模块封装的研究[本文82页]  650V功率VDMOS结终端扩展优化设计[本文74页]  槽型SOI-LDMOS器件开关特性的研究[本文69页]
 压电陶瓷微定位系统的设计及仿真[本文73页]  二硫化钨及硼化钨的合成与表征[本文68页]  氮化铟及二氧化锡半导体纳米材料的[本文76页]
 铈掺杂氧化铜稀磁半导体材料的光学[本文52页]  钇铟共掺杂氧化锌薄膜特性的研究[本文74页]  MOCVD方法制备氮化锌薄膜及其性质研[本文69页]
 反应磁控溅射制备氮化锌及其掺杂薄[本文85页]  高压下复合半导体CdI_2(AD)的热稳定[本文67页]  稀磁半导体(Zn,Co)O中的栅极电压调[本文67页]
 GaN基薄膜阳极刻蚀及相关性质的研究[本文74页]  用于固态调制器的IGBT串并联电路研[本文69页]  极化库仑场散射对GaN基电子器件栅源[本文79页]
 GaN HEMT器件和GaAs PHEMT器件对比[本文100页]  SiC超结VDMOS研究与优化设计[本文69页]  利用低温原子层沉积实现柔性有机电[本文57页]
 半导体纳米线/微米线器件的制备及性[本文85页]  几种典型压电半导体结构中的力—电[本文65页]  铟镓锌氧化物半导体器件制备与性能[本文70页]
 电力半导体功率模块应用失效分析研究[本文113页]  硫化锌中硫空位的第一性原理研究[本文60页]  溴化铊探测器晶片表面化学处理和欧[本文63页]
 4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计[本文65页]  Al/Ga共掺ZnO纳米阵列光学性质的研[本文65页]  LED一体机Bin库系统关键技术研究[本文77页]
 量子点转化LED的光谱与封装结构优化[本文58页]  LED片式COB光源的加速寿命试验及失[本文68页]  基于玻璃—金属散热的外贴LED光源模[本文71页]
 磁控溅射CuO-TFT的制备工艺及性能研[本文79页]  半导体脉冲功率开关模型实验研究与[本文78页]  片上集成的光机械晶体管研究[本文58页]
 光谱分析用CCD探测器热电制冷技术及[本文89页]  二硫化锡层状材料的取向控制及其光[本文88页]  基于1,5-双氮杂咔唑基团新型有机电[本文87页]
 高k栅介质GeOI MOS器件迁移率模型及[本文71页]  针对压电陶瓷迟滞环节的UDE控制方法[本文79页]  精密运动平台减振系统设计与仿真软[本文66页]
 LDMOS功率管金属电极结构及工艺设计[本文68页]  Ga_2O_3薄膜的高温MOCVD生长与紫外[本文69页]  基于多种光源的准直测量比较研究[本文64页]
 硒化镉基核壳量子点的合成及其电致[本文73页]  金属氧化物纳米半导体材料的可控制[本文59页]  贵金属掺杂和表面修饰对氧化物半导[本文60页]
 低维半导体纳米材料性能调控的理论[本文71页]  RF磁控溅射ZnO薄膜和掺钛ZnO薄膜材[本文79页]  基于亚微米深孔的Si衬底上GaN选择性[本文81页]
 二维原子半导体的制备及其异质器件[本文84页]  Co掺杂ZnO基稀磁半导体研究[本文53页]  有机卤化物CH_3NH_3PbX_3材料光学性[本文62页]
 半导体与多种异质结构的磁性与调控[本文120页]  大功率器件用氮化钨各向异性刻蚀工[本文64页]  半导体铜布线阻挡层技术的研究[本文78页]
 基于PrAlNiCu金属玻璃薄膜的相变光[本文67页]  利用复模式分析方法对LED光提取效率[本文79页]  近红外胶体PbSe量子点荧光粉及发光[本文59页]
 液态全无机钙钛矿量子点LED的研究[本文62页]  带有分布式布拉格反射镜的紫外LED制[本文67页]  GaN基隧穿器件的制备及特性的研究[本文68页]
 表面等离激元提高GaN基材料与器件发[本文98页]  SiC衬底上GaN基绿光LED的制备研究[本文73页]  反激式无电解电容LED驱动器的研究[本文79页]
 含自对准结构的镀铜陶瓷基板制备技[本文56页]  量子点LED精确光学模型的建立及封装[本文67页]  大功率LED封装梯度折射率结构研究[本文57页]
 金属氧化物薄膜的低温溶液法制备及[本文70页]  高k金属氧化物薄膜及晶体管的制备与[本文53页]  基于水性超薄ZrO_2高κ介电层的薄膜[本文54页]
 基于电流体直写掩膜的晶体管制备与[本文73页]  MgInSnO薄膜晶体管的研制[本文49页]  IGBT驱动技术的研究[本文56页]
 基于氧化锌薄膜晶体管的透明指纹识[本文88页]  IGBT器件的低开关损耗驱动技术研究[本文79页]  基于机器学习算法的IGBT模块故障预[本文95页]
 压接式IGBT开关特性测试平台的设计[本文83页]  铱配合物有机发光二极管的设计及优化[本文69页]  有机P型半导体材料的制备及表征[本文79页]
 基于Hammerstein模型压电陶瓷执行器[本文71页]  高效率高色稳定性的白光有机电致发[本文59页]  高性能硅量子点石墨烯硅基光电探测[本文78页]
 高性能低维半导体材料/硅异质结光电[本文79页]  绝缘层及极性杂质对TIPS-pentacene[本文62页]  高性能有机及有机复合光电晶体管的[本文58页]
 高k栅介质GaAs MOS器件阈值电压模型[本文55页]  基于原子层沉积高k栅介质材料与器件[本文54页]  高k栅介质Ge基MOS器件电特性模拟及[本文57页]
 光学功能层在柔性封装OLED中的应用[本文74页]  基于PEDOT：PSS/CH_3NH_3PbI_3柔性[本文55页]  Perylene在不同处理的Ru(0001)表面[本文58页]
 压电陶瓷微定位平台的迟滞非线性补[本文73页]  双钒酸盐和稀土钼酸盐荧光粉的合成[本文68页]  N掺杂p型ZnO材料的制备及其光电性能[本文71页]
 飞秒激光制备掺杂黑硅及其光电特性[本文70页]  基于SOI的抗辐照结构研究[本文79页]  高压SiC PiN器件的研制与静动态特性[本文73页]
 光载流子辐射测量的非线性初步分析[本文78页]  锁相载流子成像自动化检测系统的研制[本文91页]  多晶硅CVD反应器中新型热管传热性能[本文78页]
 ZnO金属氧化物半导体材料可控生产与[本文62页]  基于DSP的MOCVD原位监测信号采集系[本文87页]  MOCVD原位监测系统软件设计[本文85页]
 离子束辐照导致In_xGa_(1-x)N(0.32[本文56页]  载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特[本文61页]  基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光[本文97页]
 单晶碳化硅磁场辅助电化学机械研抛[本文91页]  振动辅助电化学抛光碳化硅的仿真与[本文72页]  立方碳化硅化学机械抛光的分子动力[本文64页]
 薄层二硫化钼中的激子性质研究[本文51页]  单层二硫化钼的光学性能及其调控研究[本文67页]  增强型AlGaN/GaN HEMT结构设计与仿[本文70页]
 二维压电半导体的断裂问题分析[本文94页]  多场作用下多晶硅定向生长的研究[本文82页]  应用于MEMS器件的光刻胶剥离技术关[本文101页]
 用于光刻成像的DMD图像曝光方法研究[本文96页]  浸没流场压力仿真与检测研究[本文85页]  超纯水处理系统的研制[本文89页]
 基于365nm LED光源的无掩模数字光刻[本文57页]  半导体生产线动态维护策略研究[本文87页]  精密机械平台摩擦特性的建模和补偿[本文77页]
 基于真空紫外光表面活化的硅基晶圆[本文90页]  一种用于逆变模块的快恢复二极管设计[本文77页]  硅衬底GaN基近紫外、黄光LED材料生[本文84页]
 石墨烯量子点的制备及其在白光LED中[本文79页]  高热流密度LED离子风散热系统性能研[本文68页]  GaN基垂直功率器件击穿机理与新结构[本文68页]
 基于COB封装的大功率LED芯片散热研[本文67页]  用于植物水培的智能控制LED照明装置[本文82页]  对GaN基LED的光学电学特性及DSCs中[本文77页]
 4H-SiC肖特基二极管电流输运机制研[本文67页]  FS结构的3300V IGBT终端设计[本文68页]  基于溶液法的金属氧化物薄膜晶体管[本文65页]
 10KV 4H-SiC IGBT的分析与设计[本文70页]  基于600V的IGBT驱动电路设计[本文76页]  集成温度采样功能的IGBT设计[本文80页]
 
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