基于标准CMOS工艺的Si-LEDs及其构成的光互连系统研究

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基于标准CMOS工艺的Si-LEDs及其构成的光互连系统研究

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基于标准CMOS工艺的Si-LEDs及其构成的光互连系统研究

论文目录
摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-9页
第一章绪论	第9-13页
1.1 论文的研究背景及意义	第9-10页
1.2 论文的研究内容及主要创新点	第10-11页
1.3 本论文的组织结构	第11-13页
第二章硅基发光的研究进展	第13-24页
2.1 半导体发光概述	第13-18页
2.1.1 半导体发光的物理基础	第13-15页
2.1.2 发光效率	第15-17页
2.1.3 光电转化可逆性原理	第17-18页
2.2 硅基发光综述	第18-21页
2.2.1 硅材料发光特性	第18-20页
2.2.2 硅基光源的研究进展	第20-21页
2.3 CMOS型SI-LEDS的研究进展	第21-23页
2.4 本章小结	第23-24页
第三章高发光功率密度SI-LED的研制	第24-42页
3.1 三端楔型SI-LEDS的设计	第24-27页
3.2 电、光学性能测试	第27-32页
3.2.1 电学特性测试	第27页
3.2.2 光功率测试	第27-32页
3.3 光功率分析	第32-40页
3.3.1 发光二极管pY~+-n结的发光指标	第32-36页
3.3.2 光功率曲线的非线性特性分析	第36-40页
3.4 本章小结	第40-42页
第四章 SI-LED的发光机理分析	第42-52页
4.1 光谱分析	第42-45页
4.2 发光机制	第45-50页
4.2.1 发射光谱中各个发光峰产生的原因和相应的发光机制	第45-49页
4.2.2 对高、低电流下主峰位置转化的解释	第49页
4.2.3 对存在 1038 nm和 994 nm两个发光峰的解释	第49-50页
4.3 本章小结	第50-52页
第五章光互连系统设计	第52-58页
5.1 片上光互连系统综述	第52-53页
5.2 多晶硅PIN探测器	第53-55页
5.2.1 器件的设计与制作	第53页
5.2.2 多晶硅PIN-LED的电学特性测试	第53-54页
5.2.3 多晶硅PIN-LED的光学特性测试	第54-55页
5.3 光互连系统	第55-57页
5.4 本章小结	第57-58页
第六章总结及展望	第58-62页
6.1 论文工作总结	第58-59页
6.2 研究展望	第59-62页
参考文献	第62-68页
发表论文和参加科研情况说明	第68-70页
致谢	第70-71页

本篇论文共71页，点击这进入下载页面。

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