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高κ叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性研究

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高κ叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-23页
  1.1 Ga N器件的研究意义第15-17页
  1.2 AlGa N/GaN HEMT 器件的研究进展第17-18页
  1.3 AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的研究意义第18-19页
  1.4 高耐压 AlGaN/GaN HEMT 器件的研究现状第19-21页
  1.5 本文研究内容第21-23页
第二章 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的基本原理第23-33页
  2.1 AlGaN/GaN异质结的极化效应第23-25页
  2.2 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的工作原理第25-29页
    2.2.1 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的基本结构第25-26页
    2.2.2 器件的特性参数第26-27页
    2.2.3 叠栅结构的优势第27-29页
  2.3 AlGaN/Ga NMOS-HEMT器件的制备第29-32页
    2.3.1 AlGaN/GaN MOS-HEMT工艺流程第29-30页
    2.3.2 栅介质材料的制备第30-32页
  2.4 本章小结第32-33页
第三章 高 κ 叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT基本特性仿真第33-49页
  3.1 器件仿真基础第33-34页
    3.1.1 TCAD工具简介第33页
    3.1.2 仿真软件ISE-TCAD及物理模型介绍第33-34页
  3.2 基本物理方程第34-37页
    3.2.1 载流子输运模型第34-35页
    3.2.2 载流子迁移率模型第35-36页
    3.2.3 其他重要物理模型第36-37页
  3.3 高 κ 叠栅MOS-HEMT器件特性模拟第37-47页
    3.3.1 MOS-HEMT器件仿真的结构第37-39页
    3.3.2 引入高 κ MOS结构对HEMT特性的影响第39-41页
    3.3.3 不同栅氧化层厚度下的HEMT特性研究第41-43页
    3.3.4 高 κ 叠栅结构器件的特性研究第43-47页
  3.4 本章小结第47-49页
第四章 高 κ 叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT击穿特性研究第49-65页
  4.1 AlGaN/GaN MOS-HEMT击穿机理研究第49-52页
    4.1.1 HEMT器件的击穿模型第49-51页
    4.1.2 仿真结果分析第51-52页
  4.2 高 κ 叠栅HEMT击穿特性研究第52-56页
    4.2.1 不同栅结构的击穿特性第52页
    4.2.2 高 κ 叠栅HEMT栅漏间距对击穿特性的影响第52-54页
    4.2.3 Al Ga N沟道的高 κ 叠栅HEMT击穿特性研究第54-55页
    4.2.4 陷阱电荷对器件击穿特性的影响第55-56页
  4.3 高 κ 叠栅AlGaN/GaN FP-HEMT击穿特性研究第56-63页
    4.3.1 场板结构提高击穿特性的基本原理第56-58页
    4.3.2 栅场板长度的优化第58-60页
    4.3.3 场板钝化层厚度的优化第60-61页
    4.3.4 双层栅源复合场板的研究第61-63页
  4.4 本章小结第63-65页
第五章 总结与展望第65-67页
  5.1 总结第65-66页
  5.2 展望第66-67页
参考文献第67-71页
致谢第71-73页
作者简介第73-74页

本篇论文共74页,点击这进入下载页面
 
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