半导体脉冲功率开关模型实验研究与特性评价

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半导体脉冲功率开关模型实验研究与特性评价

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半导体脉冲功率开关模型实验研究与特性评价

论文目录
摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-9页
1 绪论	第9-18页
1.1 脉冲功率技术	第9-11页
1.2 脉冲功率开关	第11页
1.3 半导体脉冲功率器件	第11-13页
1.4 半导体器件模型	第13-15页
1.5 研究背景	第15-16页
1.6 论文主要内容	第16-18页
2 半导体脉冲功率开关工作原理	第18-28页
2.1 RSD基本原理	第18-23页
2.2 晶闸管基本原理	第23-25页
2.3 IGBT基本原理	第25-27页
2.4 本章小结	第27-28页
3 半导体脉冲功率器件建模以及特性仿真	第28-55页
3.1 器件物理模型	第28-34页
3.2 数值模型基本原理	第34-36页
3.3 器件二维数值模型建模	第36-40页
3.4 器件特性仿真以及研究对比	第40-54页
3.5 本章小结	第54-55页
4 半导体脉冲功率器件开通特性实验研究对比	第55-70页
4.1 半导体脉冲功率器件性能指数 (FOM)	第55-57页
4.2 半导体脉冲功率器件触发特性研究对比	第57-63页
4.3 半导体脉冲功率器件开通特性研究对比	第63-69页
4.4 本章小结	第69-70页
5 结论与展望	第70-72页
5.1 结论	第70-71页
5.2 展望	第71-72页
致谢	第72-73页
参考文献	第73-78页
附录攻读硕士学位期间发表的论文	第78页

本篇论文共78页，点击这进入下载页面。

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