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立方碳化硅化学机械抛光的分子动力学仿真

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立方碳化硅化学机械抛光的分子动力学仿真
论文目录
 
摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第1章 绪论第8-16页
  1.1 课题来源及研究的目的和意义第8-9页
    1.1.1 课题来源第8页
    1.1.2 研究目的和意义第8-9页
  1.2 材料加工领域分子动力学研究现状第9-15页
    1.2.1 国外相关领域研究现状第9-11页
    1.2.2 国内相关领域研究现状第11-14页
    1.2.3 国内外文献综述及不足第14-15页
  1.3 本文主要研究内容第15-16页
第2章 碳化硅CMP过程的分子动力学基本理论及建模第16-23页
  2.1 引言第16页
  2.2 分子动力学方法基本理论第16-17页
  2.3 碳化硅CMP分子动力学模型建立第17-21页
    2.3.1 仿真规模的确定及宏观模型建立第17-19页
    2.3.2 仿真势函数的选取第19-20页
    2.3.3 边界与系综的选择第20-21页
    2.3.4 仿真参数的设置第21页
  2.4 本章小结第21-23页
第3章 碳化硅CMP过程仿真及结果分析第23-35页
  3.1 引言第23页
  3.2 磨粒压入、刻划过程仿真结果分析第23-30页
    3.2.1 磨粒压痕实验仿真第23-24页
    3.2.2 工件与磨粒形貌变化分析第24-26页
    3.2.3 仿真过程材料结构变化分析第26-28页
    3.2.4 仿真过程温度变化分析第28页
    3.2.5 仿真过程磨粒受力变化分析第28-29页
    3.2.6 仿真过程势能变化分析第29-30页
  3.3 抛光参数对碳化硅CMP过程影响的仿真分析第30-34页
    3.3.1 不同刻划速度对仿真结果的影响第30-31页
    3.3.2 不同刻划深度对仿真结果的影响第31-32页
    3.3.3 不同磨粒大小对仿真结果的影响第32-34页
  3.4 本章小结第34-35页
第4章 碳化硅CMP过程外界影响的结果分析第35-50页
  4.1 引言第35页
  4.2 SIC表层氧化膜加工的仿真结果及分析第35-39页
    4.2.1 无定型二氧化硅刻划仿真建模第35-37页
    4.2.2 无定型二氧化硅氧化膜刻划仿真形貌分析第37-38页
    4.2.3 无定型二氧化硅刻划宏观量分析第38-39页
  4.3 超声振动对加工影响的仿真分析第39-47页
    4.3.1 仿真模型建立及振动参数选择第39-41页
    4.3.2 超声振动影响的仿真结果及分析第41-44页
    4.3.3 超声振动频率的影响分析第44-45页
    4.3.4 超声振动振幅的影响分析第45-46页
    4.3.5 超声振动对材料去除率的影响分析第46-47页
  4.4 弛豫对加工影响的仿真分析第47-48页
  4.5 本章小结第48-50页
第5章 碳化硅压痕与刻划实验第50-58页
  5.1 引言第50页
  5.2 碳化硅纳米压痕实验第50-52页
    5.2.1 实验设备及实验原理第50-51页
    5.2.2 纳米压痕实验结果第51-52页
  5.3 碳化硅纳米刻划实验第52-54页
    5.3.1 斜坡加载刻划实验第52-54页
    5.3.2 恒力加载刻划实验第54页
  5.4 碳化硅宏观刻划实验第54-57页
    5.4.1 实验系统介绍第54-56页
    5.4.2 不同载荷下碳化硅刻划摩擦力分析第56-57页
    5.4.3 不同载荷下碳化硅刻划形貌分析第57页
  5.5 本章小结第57-58页
结论第58-59页
参考文献第59-62页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第62-64页
致谢第64页

本篇论文共64页,点击这进入下载页面
 
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