基于亚微米深孔的Si衬底上GaN选择性外延及横向外延

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基于亚微米深孔的Si衬底上GaN选择性外延及横向外延

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基于亚微米深孔的Si衬底上GaN选择性外延及横向外延

论文目录
致谢	第1-5页
摘要	第5-7页
Abstract	第7-10页
第一章引言	第10-12页
第二章 GaN性质及GaN晶体的生长	第12-37页
2.1 GaN的基本性质	第12-13页
2.2 提高GaN外延质量的方法	第13-36页
2.2.1 Si上生长缓冲层	第14-18页
2.2.2 “悬空”结构外延GaN	第18-26页
2.2.3 图形化衬底上GaN的选择性外延	第26-36页
2.3 本章小结	第36-37页
第三章亚微米深孔中GaN的异质外延生长	第37-56页
3.1 亚微米深孔实验的提出	第37-39页
3.2 亚微米深孔实验的设计	第39-41页
3.3 样品的制备	第41-48页
3.4 实验测试与结果分析	第48-54页
3.4.1 TEM样品的制作与TEM测试	第48-50页
3.4.2 2 um小孔中GaN晶体的形貌	第50-51页
3.4.3 200 nm小孔中GaN晶体的形貌	第51页
3.4.4 50 nm及20 nm小孔中GaN晶体的形貌	第51-53页
3.4.5 长槽开口中GaN晶体的形貌	第53-54页
3.5 本章小结	第54-56页
第四章小孔上的横向GaN外延生长	第56-75页
4.1 掩膜层上的横向GaN外延生长实验的设计	第56-62页
4.1.1 小孔外GaN的横向外延生长及合并实验的设计	第56-57页
4.1.2 顶部限制层构成的横向空腔实验的设计	第57-62页
4.2 顶部限制层构成的横向空腔的制备	第62-68页
4.3 实验测试与结果分析	第68-73页
4.3.1 小孔外GaN的横向外延生长及合并实验	第68-70页
4.3.2 第一次顶部限制层构成的横向空腔实验	第70-72页
4.3.3 第二次顶部限制层构成的横向空腔实验	第72-73页
4.4 本章小结	第73-75页
第五章总结与展望	第75-77页
参考文献	第77-81页
攻读硕士期间获得的成果	第81页

本篇论文共81页，点击这进入下载页面。

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