论文目录 | |
摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-12页 |
第一章 绪论 | 第12-27页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 常见的纳米加工技术及其挑战 | 第13-21页 |
1.2.1 湿法刻蚀 | 第13-15页 |
1.2.2 光刻 | 第15-16页 |
1.2.3 纳米压印 | 第16-17页 |
1.2.4 高能束加工 | 第17-19页 |
1.2.5 扫描探针加工 | 第19-21页 |
1.3 摩擦诱导纳米加工 | 第21-25页 |
1.3.1 摩擦诱导直接加工 | 第21-23页 |
1.3.2 摩擦诱导选择性刻蚀加工 | 第23-25页 |
1.4 选题意义及研究内容 | 第25-27页 |
1.4.1 选题意义 | 第26页 |
1.4.2 课题的研究内容 | 第26-27页 |
第二章 实验材料和方法 | 第27-35页 |
2.1 实验材料 | 第27-28页 |
2.2 实验设备 | 第28-32页 |
2.2.1 原子力显微镜 | 第28-30页 |
2.2.2 多点接触微纳米级加工设备 | 第30页 |
2.2.3 原位纳米力学测试系统 | 第30-31页 |
2.2.4 接触角视频测量仪 | 第31-32页 |
2.3 实验方法 | 第32-34页 |
2.3.1 摩擦诱导选择性刻蚀加工 | 第32-33页 |
2.3.2 压痕诱导选择性刻蚀加工 | 第33-34页 |
2.4 X-射线光电子能谱及化学成分表征 | 第34-35页 |
第三章 不同温度下单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的规律 | 第35-46页 |
3.1 刻蚀温度对单晶硅表面凸结构高度的影响 | 第35-37页 |
3.2 刻蚀时间对单晶硅表面凸结构高度的影响 | 第37-39页 |
3.3 刻蚀温度对单晶硅表面性能的影响 | 第39-44页 |
3.3.1 刻蚀温度对单晶硅表面粗糙度的影响 | 第39-41页 |
3.3.2 刻蚀温度对单晶硅表面亲疏水性的影响 | 第41-43页 |
3.3.3 刻蚀温度对单晶硅表面微观机械性能的影响 | 第43-44页 |
3.4 本章小结 | 第44-46页 |
第四章 温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的影响机理 | 第46-52页 |
4.1 单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的掩膜作用机理 | 第46-47页 |
4.2 刻蚀温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的作用机制 | 第47-50页 |
4.2.1 基于阿累尼乌斯方程的化学动力学分析 | 第47-49页 |
4.2.2 刻蚀温度对单晶硅表面选择性刻蚀速率的影响 | 第49-50页 |
4.3 不同刻蚀温度下单晶硅表面化学成分的表征 | 第50-51页 |
4.4 本章小结 | 第51-52页 |
第五章 摩擦诱导选择性刻蚀加工方法的应用探索—压痕诱导选择性刻蚀 | 第52-58页 |
5.1 加工规律 | 第52-54页 |
5.2 加工机制 | 第54-56页 |
5.3 多针尖阵列的加工 | 第56-57页 |
5.4 本章小结 | 第57-58页 |
结论 | 第58-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-66页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第66-67页 |