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温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的影响研究

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温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的影响研究
论文目录
 
摘要第1-8页
Abstract第8-12页
第一章 绪论第12-27页
  1.1 引言第12-13页
  1.2 常见的纳米加工技术及其挑战第13-21页
    1.2.1 湿法刻蚀第13-15页
    1.2.2 光刻第15-16页
    1.2.3 纳米压印第16-17页
    1.2.4 高能束加工第17-19页
    1.2.5 扫描探针加工第19-21页
  1.3 摩擦诱导纳米加工第21-25页
    1.3.1 摩擦诱导直接加工第21-23页
    1.3.2 摩擦诱导选择性刻蚀加工第23-25页
  1.4 选题意义及研究内容第25-27页
    1.4.1 选题意义第26页
    1.4.2 课题的研究内容第26-27页
第二章 实验材料和方法第27-35页
  2.1 实验材料第27-28页
  2.2 实验设备第28-32页
    2.2.1 原子力显微镜第28-30页
    2.2.2 多点接触微纳米级加工设备第30页
    2.2.3 原位纳米力学测试系统第30-31页
    2.2.4 接触角视频测量仪第31-32页
  2.3 实验方法第32-34页
    2.3.1 摩擦诱导选择性刻蚀加工第32-33页
    2.3.2 压痕诱导选择性刻蚀加工第33-34页
  2.4 X-射线光电子能谱及化学成分表征第34-35页
第三章 不同温度下单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的规律第35-46页
  3.1 刻蚀温度对单晶硅表面凸结构高度的影响第35-37页
  3.2 刻蚀时间对单晶硅表面凸结构高度的影响第37-39页
  3.3 刻蚀温度对单晶硅表面性能的影响第39-44页
    3.3.1 刻蚀温度对单晶硅表面粗糙度的影响第39-41页
    3.3.2 刻蚀温度对单晶硅表面亲疏水性的影响第41-43页
    3.3.3 刻蚀温度对单晶硅表面微观机械性能的影响第43-44页
  3.4 本章小结第44-46页
第四章 温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的影响机理第46-52页
  4.1 单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的掩膜作用机理第46-47页
  4.2 刻蚀温度对单晶硅表面摩擦诱导选择性刻蚀的作用机制第47-50页
    4.2.1 基于阿累尼乌斯方程的化学动力学分析第47-49页
    4.2.2 刻蚀温度对单晶硅表面选择性刻蚀速率的影响第49-50页
  4.3 不同刻蚀温度下单晶硅表面化学成分的表征第50-51页
  4.4 本章小结第51-52页
第五章 摩擦诱导选择性刻蚀加工方法的应用探索—压痕诱导选择性刻蚀第52-58页
  5.1 加工规律第52-54页
  5.2 加工机制第54-56页
  5.3 多针尖阵列的加工第56-57页
  5.4 本章小结第57-58页
结论第58-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-66页
攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果第66-67页

本篇论文共67页,点击这进入下载页面
 
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