半导体纳米线/微米线器件的制备及性能研究

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半导体纳米线/微米线器件的制备及性能研究

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半导体纳米线/微米线器件的制备及性能研究

论文目录
摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第一章绪论	第9-29页
1.1 研究背景	第9-10页
1.2 半导体纳米材料的合成方法	第10-17页
1.2.1 模板法	第11页
1.2.2 气相法	第11-15页
1.2.3 液相法	第15-17页
1.3 半导纳米激光器简介	第17-20页
1.4 压电光电子学简介	第20-23页
1.4.1 压电效应	第20页
1.4.2 压电光电子学的产生	第20-21页
1.4.3 压电电子学效应对金属-半导体接触的影响	第21-22页
1.4.4 压电电子学对PN结接触的影响	第22-23页
1.5 微纳米加工技术简介	第23-27页
1.5.1 光刻的基本原理	第24-25页
1.5.2 光刻的曝光方法	第25-26页
1.5.3 光刻的工艺流程	第26-27页
1.6 本文的选题思想及结构安排	第27-29页
第二章纳米线/微米线的制备及表征	第29-54页
2.1 实验原料与设备	第29-36页
2.1.1 实验原料	第29-30页
2.1.2 实验设备	第30-36页
2.2 CdS纳米带的生长及表征	第36-41页
2.2.1 实验方法	第36-38页
2.2.2 催化生长CdS纳米带的表征	第38-41页
2.3 GaN纳米/微米线的生长及表征	第41-45页
2.3.1 实验方法	第41-42页
2.3.2 GaN纳米线/微米线的表征	第42-45页
2.4 ZnO纳米线的水热生长及表征	第45-52页
2.4.1 ITO基底水热法生长ZnO纳米线	第45-46页
2.4.2 ITO基底图案化生长ZnO纳米线阵列	第46-51页
2.4.3 n-GaN基底水热外延生长单根ZnO微米线	第51-52页
2.5 本章小结	第52-54页
第三章半导体纳米激光器的研究	第54-65页
3.1 光泵浦半导体纳米激光器简介	第54-58页
3.2 基于单根CdS纳米带的光泵浦激光器	第58-61页
3.2.1 单根CdS纳米带的分散及测试仪器	第58页
3.2.2 单根CdS纳米带激光模式分析	第58-60页
3.2.3 单根CdS纳米带尺寸对激射的影响	第60-61页
3.3 基于GaN微米线的光泵浦激光器	第61-62页
3.4 基于GaN微米线的LED	第62-64页
3.5 本章小结	第64-65页
第四章基于Zn O纳米线OLED器件的制备及性能研究	第65-77页
4.1 压电光电子学效应增强LED的简介	第65-67页
4.2 实验设备	第67-69页
4.2.1 高真空蒸发镀膜系统	第67-68页
4.2.2 压电性能测试系统	第68-69页
4.3 基于ZnO纳米线阵列OLED器件的制备	第69-70页
4.4 基于ZnO纳米线OLED器件光电性能的研究	第70-74页
4.5 基于ZnO纳米线OLED器件压电性能的研究	第74-76页
4.6 本章小结	第76-77页
第五章结论与展望	第77-79页
5.1 结论	第77页
5.2 展望	第77-79页
参考文献	第79-84页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果	第84-85页
致谢	第85页

本篇论文共85页，点击这进入下载页面。

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