论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 概述 | 第11页 |
1.2 Ga_2O_3材料的性质 | 第11-14页 |
1.2.1 Ga_2O_3材料的晶体结构 | 第11-14页 |
1.2.2 Ga_2O_3材料的光学与电学性质 | 第14页 |
1.3 Ga_2O_3材料的应用领域 | 第14-17页 |
1.4 Ga_2O_3材料的研究现状 | 第17-19页 |
1.5 课题的选取和研究的内容 | 第19-21页 |
第二章 薄膜的制备与表征方法 | 第21-32页 |
2.1 薄膜制备技术 | 第21-24页 |
2.1.1 真空蒸发镀膜法 | 第21-22页 |
2.1.2 溅射镀膜法 | 第22页 |
2.1.3 分子束外延法 | 第22-23页 |
2.1.4 溶胶-凝胶法 | 第23-24页 |
2.1.5 化学气相沉积法 | 第24页 |
2.2 MOCVD系统结构 | 第24-27页 |
2.3 薄膜表征方法简述 | 第27-32页 |
2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第27-28页 |
2.3.2 透射光谱测试 | 第28-29页 |
2.3.3 原子力显微镜 | 第29-30页 |
2.3.4 光致发光谱测试 | 第30页 |
2.3.5 扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
2.3.6 霍尔测试仪 | 第31-32页 |
第三章 Ga_2O_3薄膜的制备与优化 | 第32-43页 |
3.1 Ga_2O_3薄膜的MOCVD制备 | 第32-35页 |
3.1.1 Ga_2O_3薄膜衬底的选取 | 第32-33页 |
3.1.2 Ga_2O_3薄膜的金属有机源选取 | 第33页 |
3.1.3 Ga_2O_3薄膜的制备过程 | 第33-35页 |
3.2 缓冲层对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第35-38页 |
3.2.1 缓冲层对Ga_2O_3薄膜晶体质量的影响 | 第35-36页 |
3.2.2 缓冲层对Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第36页 |
3.2.3 缓冲层对Ga_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第36-37页 |
3.2.4 缓冲层对Ga_2O_3薄膜电学性质的影响 | 第37-38页 |
3.3 反应温度对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第38-41页 |
3.3.1 反应温度对Ga_2O_3薄膜晶体质量的影响 | 第38-39页 |
3.3.2 反应温度对Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第39-41页 |
3.3.3 反应温度对Ga_2O_3薄膜电学性质的影响 | 第41页 |
3.4 Ga_2O_3薄膜内部应力引起的晶格畸变分析 | 第41-42页 |
3.5 小结 | 第42-43页 |
第四章 Ga_2O_3薄膜的退火工艺研究 | 第43-55页 |
4.1 退火条件的选取 | 第43-44页 |
4.2 退火氛围对Ga_2O_3薄膜特性的影响 | 第44-47页 |
4.2.1 XRD衍射谱分析 | 第44-45页 |
4.2.2 光致发光(PL)谱分析 | 第45页 |
4.2.3 样品透射(UV)比较分析 | 第45-46页 |
4.2.4 AFM比较分析 | 第46-47页 |
4.3 退火温度对Ga_2O_3薄膜特性的影响 | 第47-51页 |
4.3.1 Ga_2O_3薄膜的X射线衍射谱分析 | 第47-49页 |
4.3.2 Ga_2O_3薄膜的光学性质测试 | 第49-50页 |
4.3.3 Ga_2O_3薄膜的表面形貌表征 | 第50-51页 |
4.4 退火时间对Ga_2O_3薄膜质量的影响 | 第51-54页 |
4.4.1 Ga_2O_3薄膜的X射线衍射谱分析 | 第51-52页 |
4.4.2 Ga_2O_3薄膜的光学性质测试 | 第52-53页 |
4.4.3 Ga_2O_3薄膜的表面形貌表征 | 第53-54页 |
4.5 本章小结 | 第54-55页 |
第五章 Ga_2O_3基日盲紫外探测器的制备 | 第55-61页 |
5.1 Ga_2O_3薄膜的光电导型日盲紫外探测器简介 | 第55-57页 |
5.1.1 Ga_2O_3日盲紫外探测器的结构与原理 | 第55-56页 |
5.1.2 Ga_2O_3日盲紫外探测器测试参数 | 第56-57页 |
5.2 Ga_2O_3日盲紫外探测器的制备 | 第57-58页 |
5.3 Ga_2O_3日盲紫外探测器测试分析 | 第58-60页 |
5.4 小结 | 第60-61页 |
第六章 总结 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-68页 |
攻读硕士学位期间发表论文 | 第68-69页 |
致谢 | 第69页 |