论文目录 | |
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-8页 |
第一章 绪论 | 第8-23页 |
1.1 引言 | 第8页 |
1.2 半导体多相光催化概述 | 第8-14页 |
1.2.1 半导体多相光催化技术的发展现状 | 第8-9页 |
1.2.2 半导体光催化的机理 | 第9-10页 |
1.2.3 半导体光催化技术存在的问题 | 第10-11页 |
1.2.4 可见光响应半导体的研究进展 | 第11-13页 |
1.2.5 纳米-微米层级结构研究进展 | 第13-14页 |
1.3 Bi_2WO_6半导体的研究进展 | 第14-21页 |
1.3.1 Bi_2WO_6半导体的结构特点 | 第14-16页 |
1.3.2 Bi_2WO_6半导体的制备方法研究 | 第16-19页 |
1.3.3 Bi_2WO_6半导体的修饰改性研究 | 第19-21页 |
1.4 理论计算与模拟在光催化研究中的应用 | 第21页 |
1.5 本课题的研究意义及主要内容 | 第21-23页 |
第二章 实验药品、仪器及方法 | 第23-33页 |
2.1 实验药品及仪器设备 | 第23-25页 |
2.1.1 实验化学药品 | 第23-24页 |
2.1.2 实验仪器及设备 | 第24-25页 |
2.2 实验样品的制备 | 第25-28页 |
2.2.1 颗粒状Bi_2WO_6的制备 | 第25-26页 |
2.2.2 花状Bi_2WO_6微球的制备 | 第26-27页 |
2.2.3 Bi_2WO_6-Fe_2O_3复合物的制备 | 第27-28页 |
2.3 样品的形貌结构表征方法 | 第28-30页 |
2.3.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第28-29页 |
2.3.2 扫描电镜(SEM)分析 | 第29页 |
2.3.3 透射电镜(TEM)分析 | 第29页 |
2.3.4 比表面积及孔分布分析 | 第29-30页 |
2.4 样品的光催化性能表征 | 第30-31页 |
2.4.1 样品的吸收光谱波长测定 | 第30页 |
2.4.2 样品的可见光降解实验 | 第30-31页 |
2.5 理论计算方法 | 第31-33页 |
2.5.1 第一性原理计算 | 第31页 |
2.5.2 VASP程序包简介 | 第31-32页 |
2.5.3 计算模型及参数设置 | 第32-33页 |
第三章 花状Bi_2WO_6微球的吸附性能及可见光催化性能研究 | 第33-51页 |
3.1 引言 | 第33-34页 |
3.2 花状Bi_2WO_6微球的制备及形成机理研究 | 第34-42页 |
3.2.1 水热反应温度对Bi_2WO_6形貌的影响 | 第34-36页 |
3.2.2 水热反应时间对花状Bi_2WO_6微球形貌的影响 | 第36-38页 |
3.2.3 花状Bi_2WO_6微球的晶面取向分析 | 第38-40页 |
3.2.4 花状Bi_2WO_6微球的形成机理 | 第40-42页 |
3.3 花状Bi_2WO_6微球的可见光催化性能 | 第42-48页 |
3.3.1 花状Bi_2WO_6微球的吸附性能 | 第42-45页 |
3.3.2 花状Bi_2WO_6微球的可见光催化性能 | 第45-47页 |
3.3.3 花状Bi_2WO_6微球的循环性能 | 第47-48页 |
3.4 Bi_2WO_6表面活性位点理论模拟分析 | 第48-49页 |
3.5 本章小结 | 第49-51页 |
第四章 α-Fe_2O_3负载花状Bi_2WO_6微球的可见光催化性能研究 | 第51-61页 |
4.1 引言 | 第51页 |
4.2 溶剂热参数对 α-Fe_2O_3负载花状Bi_2WO_6微球形貌、结构的影响 | 第51-55页 |
4.2.1 溶剂热反应时间对 α-Fe_2O_3负载花状Bi_2WO_6微球形貌、结构的影响 | 第52-53页 |
4.2.2 Bi_2WO_6含量对 α-Fe_2O_3负载花状Bi_2WO_6微球形貌的影响 | 第53-55页 |
4.3 α-Fe_2O_3负载花状Bi_2WO_6微球的可见光催化性能 | 第55-60页 |
4.3.1 α-Fe_2O_3负载花状Bi_2WO_6微球的紫外-可见吸收光谱 | 第55-56页 |
4.3.2 α-Fe_2O_3负载花状Bi_2WO_6微球的吸附性能 | 第56-57页 |
4.3.3 α-Fe_2O_3负载花状Bi_2WO_6微球的可见光催化性能 | 第57-60页 |
4.4 本章小结 | 第60-61页 |
第五章 全文结论 | 第61-63页 |
5.1 全文结论 | 第61-62页 |
5.2 本工作创新点 | 第62页 |
5.3 展望 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-71页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |