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GaN基薄膜阳极刻蚀及相关性质的研究

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GaN基薄膜阳极刻蚀及相关性质的研究
论文目录
 
摘要第11-12页
Abstract第12-14页
符号说明第14-15页
第一章 绪论第15-20页
  1.1 GaN材料的基本性质第15-16页
    1.1.1 GaN的物理特性第15页
    1.1.2 GaN的化学特性第15-16页
    1.1.3 GaN的电学特性第16页
    1.1.4 GaN的光学特性第16页
  1.2 GaN薄膜的制备第16页
  1.3 纳米多孔GaN材料的意义与制备第16-19页
    1.3.1 纳米多孔GaN薄膜材料的研究意义第16-17页
    1.3.2 纳米多孔GaN薄膜材料的制备第17页
    1.3.3 纳米多孔GaN薄膜材料的性质研究第17-18页
    1.3.4 纳米多孔GaN薄膜材料的应用第18-19页
本章参考文献第19-20页
第二章 实验设备和测试方法第20-24页
  2.1 实验设备第20-21页
    2.1.1 电化学刻蚀仪第20-21页
    2.1.2 退火炉第21页
  2.2 测试方法第21-24页
    2.2.1 表面形貌测试方法(AFM、SEM)第21-22页
    2.2.2 晶体结构测试方法(TEM)第22页
    2.2.3 发光特性的表征(PL)第22-23页
    2.2.4 力学特性的表征(Raman)第23-24页
第三章 中性溶液制备纳米多孔GaN薄膜第24-33页
  3.1 实验样品制备和实验条件第24-25页
  3.2 实验结果与讨论第25-28页
    3.2.1 刻蚀电压对刻蚀的影响第25-27页
    3.2.2 掺杂浓度对刻蚀的影响第27-28页
  3.3 在中性溶液中刻蚀的原理第28-29页
  3.4 刻蚀对晶格的影响第29-32页
本章参考文献第32-33页
第四章 纳米多孔GaN薄膜退火及其特性研究第33-42页
  4.1 实验部分第33-34页
  4.2 结果与讨论第34-38页
  4.3 退火对晶格的影响第38-40页
本章参考文献第40-42页
第五章 酸性溶液中电化学刻蚀GaN基发光二极管(LED)及其相关性质研究第42-56页
  5.1 实验部分第42-44页
  5.2 结果与讨论第44-52页
    5.2.1 刻蚀前后GaN基LED的表征第44-46页
    5.2.2 刻蚀机理分析第46-49页
    5.2.3 电压对刻蚀规律的影响第49-50页
    5.2.4 刻蚀对拉曼光谱与光致发光光谱影响分析第50-52页
  5.3 其它酸性电解质中刻蚀情况第52-53页
本章参考文献第53-56页
第六章 自支撑GaN基LED薄膜制备及其相关性质的研究第56-64页
  6.1 前沿第56-57页
  6.2 实验部分第57-59页
  6.3 自支撑GaN基LED薄膜的拉曼分析第59-61页
  6.4 自支撑GaN基LED薄膜的PL光谱分析第61-62页
本章参考文献第62-64页
第七章 总结第64-66页
  7.1 中性溶液电化学刻蚀GaN单晶薄膜第64页
  7.2 多孔GaN单晶薄膜在氨气气氛中热退火第64-65页
  7.3 电化学刻蚀具有多量子阱结构的GaN基薄膜第65-66页
致谢第66-67页
研究生期间发表的学术论文第67-68页
附录 (在研究生期间发表的英文文献)第68-74页
学位论文评阅及答辩情况表第74页

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