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基于横向可变降低表面电场技术的新型SOI高压器件研究
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基于横向可变降低表面电场技术的新型SOI高压器件研究
论文目录
中文摘要
第1-5页
英文摘要
第5-9页
1 绪论
第9-18页
1.1 LDMOS器件的发展和研究现状
第9-10页
1.2 RESURF技术
第10-16页
1.2.1 Single RESURF
第10-13页
1.2.2 Double RESURF
第13-14页
1.2.3 Triple RESURF
第14-16页
1.2.4 RESURF技术的发展现状
第16页
1.3 本文的研究内容
第16-18页
2 部分复合埋氧层SOI高压器件
第18-34页
2.1 P-CBL SOI LDMOS结构
第18-19页
2.2 耐压机理
第19-20页
2.3 P-CBL SOI LDMOS器件电特性研究
第20-32页
2.3.1 击穿特性研究
第21-26页
2.3.2 比导通电阻和自热效应特性研究
第26-28页
2.3.3 结构参数对器件电特性的影响
第28-32页
2.4 工艺流程设计
第32页
2.5 本章小结
第32-34页
3 界面变掺杂SOI高压器件
第34-48页
3.1 LVID SOI LDMOS结构
第34-36页
3.2 耐压机理
第36-37页
3.3 LVID SOI LDMOS器件电特性研究
第37-46页
3.3.1 击穿特性研究
第38-42页
3.3.2 比导通电阻特性研究
第42-43页
3.3.3 结构参数对器件电特性的影响
第43-46页
3.4 工艺流程设计
第46页
3.5 本章小结
第46-48页
4 总结与展望
第48-50页
4.1 总结
第48-49页
4.2 展望
第49-50页
致谢
第50-51页
参考文献
第51-55页
附录
第55页
A. 作者在攻读学位期间发表的论文
第55页
B. 作者在攻读学位期间申报的发明专利
第55页
本篇论文共
55
页,
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