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基于横向可变降低表面电场技术的新型SOI高压器件研究

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基于横向可变降低表面电场技术的新型SOI高压器件研究
论文目录
 
中文摘要第1-5页
英文摘要第5-9页
1 绪论第9-18页
  1.1 LDMOS器件的发展和研究现状第9-10页
  1.2 RESURF技术第10-16页
    1.2.1 Single RESURF第10-13页
    1.2.2 Double RESURF第13-14页
    1.2.3 Triple RESURF第14-16页
    1.2.4 RESURF技术的发展现状第16页
  1.3 本文的研究内容第16-18页
2 部分复合埋氧层SOI高压器件第18-34页
  2.1 P-CBL SOI LDMOS结构第18-19页
  2.2 耐压机理第19-20页
  2.3 P-CBL SOI LDMOS器件电特性研究第20-32页
    2.3.1 击穿特性研究第21-26页
    2.3.2 比导通电阻和自热效应特性研究第26-28页
    2.3.3 结构参数对器件电特性的影响第28-32页
  2.4 工艺流程设计第32页
  2.5 本章小结第32-34页
3 界面变掺杂SOI高压器件第34-48页
  3.1 LVID SOI LDMOS结构第34-36页
  3.2 耐压机理第36-37页
  3.3 LVID SOI LDMOS器件电特性研究第37-46页
    3.3.1 击穿特性研究第38-42页
    3.3.2 比导通电阻特性研究第42-43页
    3.3.3 结构参数对器件电特性的影响第43-46页
  3.4 工艺流程设计第46页
  3.5 本章小结第46-48页
4 总结与展望第48-50页
  4.1 总结第48-49页
  4.2 展望第49-50页
致谢第50-51页
参考文献第51-55页
附录第55页
  A. 作者在攻读学位期间发表的论文第55页
  B. 作者在攻读学位期间申报的发明专利第55页

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