论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| 1.1 简介 | 第16-21页 |
| 1.1.1 半导体工艺技术的发展 | 第16-18页 |
| 1.1.2 MOSFET特征尺寸的缩小 | 第18-21页 |
| 1.2 高k栅介质介绍 | 第21-27页 |
| 1.2.1 高k栅介质的必要性 | 第21-23页 |
| 1.2.2 高k栅介质的特点 | 第23-24页 |
| 1.2.3 常见的高k栅介质材料 | 第24-26页 |
| 1.2.4 引入高k栅介质所面临的问题 | 第26-27页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第27-30页 |
| 第二章 高k栅介质的制备工艺及表征手段 | 第30-42页 |
| 2.1 常见的薄膜制备工艺 | 第30-31页 |
| 2.1.1 化学气相淀积CVD | 第30页 |
| 2.1.2 物理气相淀积PVD | 第30页 |
| 2.1.3 外延层淀积 | 第30-31页 |
| 2.2 ALD淀积技术 | 第31-36页 |
| 2.2.1 ALD技术的发展及特点 | 第31-32页 |
| 2.2.2 ALD技术的生长原理 | 第32-35页 |
| 2.2.3 ALD的淀积工艺窗口 | 第35页 |
| 2.2.4 ALD设备简介 | 第35-36页 |
| 2.3 高k栅介质薄膜的表征技术 | 第36-40页 |
| 2.3.1 物理性质的表征 | 第36-39页 |
| 2.3.2 电学特性的表征 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 AlGaN/GaN外延层上Al_2O_3/La_2O_3叠栅结构特性研究 | 第42-52页 |
| 3.1 Al_2O_3/La_2O_3叠栅结构的制备 | 第42-44页 |
| 3.1.1 衬底准备 | 第42-43页 |
| 3.1.2 ALD淀积La_2O_3的前驱体选择 | 第43页 |
| 3.1.3 Al_2O_3/La_2O_3叠栅结构的淀积过程 | 第43-44页 |
| 3.2 Al_2O_3/La_2O_3叠栅介质材料厚度与表面形貌分析 | 第44-45页 |
| 3.3 Al_2O_3/La_2O_3叠栅介质材料电容-电压特性分析 | 第45-47页 |
| 3.4 Al_2O_3/La_2O_3叠栅介质材料化学特性分析 | 第47-49页 |
| 3.5 电偶极子层对Al_2O_3/La_2O_3叠栅电容平带电压的影响 | 第49-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 P型硅衬底上高k叠栅结构特性研究 | 第52-70页 |
| 4.1 Al_2O_3/La_2O_3叠栅结构特性研究 | 第53-57页 |
| 4.1.1 Al_2O_3/La_2O_3叠栅结构的制备 | 第53页 |
| 4.1.2 Al_2O_3/La_2O_3叠栅介质材料厚度与表面形貌分析 | 第53-54页 |
| 4.1.3 Al_2O_3/La_2O_3叠栅介质材料电学特性分析 | 第54-57页 |
| 4.2 Y_2O_3/Al_2O_3叠栅结构特性研究 | 第57-65页 |
| 4.2.1 Y_2O_3/Al_2O_3叠栅结构的制备 | 第57-58页 |
| 4.2.2 Y_2O_3/Al_2O_3叠栅介质材料厚度与表面形貌分析 | 第58-59页 |
| 4.2.3 Y_2O_3/Al_2O_3叠栅介质材料电学特性分析 | 第59-63页 |
| 4.2.4 Y_2O_3/Al_2O_3叠栅介质材料化学特性分析 | 第63-65页 |
| 4.3 Y_2O_3/La_2O_3叠栅结构特性研究 | 第65-68页 |
| 4.3.1 Y_2O_3/La_2O_3叠栅结构的制备 | 第65-66页 |
| 4.3.2 Y_2O_3/La_2O_3叠栅介质材料厚度与表面形貌分析 | 第66页 |
| 4.3.3 Y_2O_3/La_2O_3叠栅介质材料电学特性分析 | 第66-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 总结 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |
