论文目录 | |
| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 微/纳科学技术简介 | 第13-14页 |
| 1.2 单晶硅在微/纳摩擦学中的应用 | 第14-18页 |
| 1.2.1 单晶硅在集成电路中的应用 | 第14-16页 |
| 1.2.2 微机电系统中的摩擦学问题 | 第16-18页 |
| 1.3 化学机械抛光及研究现状 | 第18-22页 |
| 1.3.1 化学机械抛光简介 | 第18-19页 |
| 1.3.2 化学机械抛光的研究现状 | 第19-22页 |
| 1.4 不同种类磨粒在单晶硅CMP中的应用情况 | 第22-25页 |
| 1.5 选题意义及内容 | 第25-29页 |
| 1.5.1 选题意义 | 第25-26页 |
| 1.5.2 研究方案和内容 | 第26-29页 |
| 第二章 实验材料和研究方法 | 第29-41页 |
| 2.1 实验材料 | 第29-30页 |
| 2.2 实验设备和方法 | 第30-34页 |
| 2.2.1 宏观磨损实验的设备与方法 | 第30-32页 |
| 2.2.2 微观验证实验的设备与方法 | 第32-34页 |
| 2.3 结构与成分的表征设备及方法 | 第34-40页 |
| 2.3.1 结构与机械性能表征 | 第34-38页 |
| 2.3.2 表面形貌表征 | 第38-39页 |
| 2.3.3 磨损区域成分表征 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 无孔和微孔二氧化硅小球对原始硅微观去除的影响规律 | 第41-48页 |
| 3.1 无孔和微孔二氧化硅小球的结构与性能表征 | 第41-43页 |
| 3.1.1 结构表征 | 第41-43页 |
| 3.1.2 机械性能表征 | 第43页 |
| 3.2 不同环境中无孔/微孔二氧化硅小球对原始硅微观去除的规律 | 第43-45页 |
| 3.2.1 大气环境中无孔和微孔二氧化硅小球对原始硅的微观去除规律 | 第44-45页 |
| 3.2.2 纯水环境中无孔和微孔二氧化硅小球对原始硅的微观去除规律 | 第45页 |
| 3.3 不同工况下原始硅表面的微观去除体积对比 | 第45-46页 |
| 3.4 无孔和微孔二氧化硅小球磨损实验后的微观磨损对比 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 单晶硅表面氧化层对微观去除的影响研究 | 第48-56页 |
| 4.1 不同循环次数下原始硅与疏水硅的微观去除规律 | 第48-50页 |
| 4.1.1 大气环境中原始硅和疏水硅的微观去除规律 | 第48-49页 |
| 4.1.2 纯水环境中原始硅和疏水硅的微观去除规律 | 第49-50页 |
| 4.2 不同载荷下原始硅和疏水硅的微观去除规律 | 第50-52页 |
| 4.2.1 大气环境中原始硅和疏水硅的微观去除规律 | 第50-51页 |
| 4.2.2 纯水环境中原始硅和疏水硅的微观去除规律 | 第51-52页 |
| 4.3 不同环境中原始硅和疏水硅表面材料的微观去除体积对比 | 第52-53页 |
| 4.4 二氧化硅小球磨损实验后的微观磨损表征 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 无孔/微孔二氧化硅小球对单晶硅表面的去除机理 | 第56-67页 |
| 5.1 机械摩擦诱导下的化学反应机理 | 第56-58页 |
| 5.2 接触压力对摩擦化学反应的影响 | 第58-61页 |
| 5.3 环境水分对摩擦化学反应的影响 | 第61-63页 |
| 5.4 单晶硅表面氧化层和终止键对摩擦化学反应的影响 | 第63-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第75页 |
