论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 AlGaN/GaN HEMT器件背景研究 | 第17-19页 |
| 1.1.1 第三代半导体材料的诞生 | 第17-18页 |
| 1.1.2 高电子迁移率晶体管HEMT的发展 | 第18-19页 |
| 1.2 增强型AlGaN/GaN HEMT器件的演变 | 第19-22页 |
| 1.3 本文的研究内容及章节安排 | 第22-25页 |
| 第二章 F离子注入AlGaN/GaN HEMT器件基本理论 | 第25-33页 |
| 2.1 Ⅲ族氮化物半导体材料 | 第25-26页 |
| 2.1.1 晶体结构与极化效应 | 第25-26页 |
| 2.1.2 异质结结构 | 第26页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管 | 第26-28页 |
| 2.2.1 HEMT器件结构 | 第26-27页 |
| 2.2.2 HEMT器件中的二维电子气及基本工作原理 | 第27-28页 |
| 2.3 F等离子体注入的AlGaN/GaN HEMT器件 | 第28-30页 |
| 2.3.1 F注入HEMT器件的电场调节机制 | 第28-29页 |
| 2.3.2 F注入器件的制备工艺 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-33页 |
| 第三章 薄势垒F注入AlGaN/GaN HEMT器件特性仿真 | 第33-51页 |
| 3.1 器件数值仿真 | 第33-36页 |
| 3.1.1 Silvaco TCAD仿真工具 | 第33-34页 |
| 3.1.2 器件数值仿真基本方程 | 第34-36页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT器件特性仿真 | 第36-44页 |
| 3.2.1 常规耗尽型HEMT器件特性 | 第36-38页 |
| 3.2.2 HEMT器件参数对器件特性影响 | 第38-44页 |
| 3.3 薄势垒F注入器件应力仿真 | 第44-48页 |
| 3.3.1 薄势垒F注入HEMT器件特性仿真 | 第44-45页 |
| 3.3.2 F注入器件电流崩塌 | 第45-46页 |
| 3.3.3 薄势垒F注入器件击穿电压仿真 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-51页 |
| 第四章 薄势垒F注入AlGaN/GaN HEMT器件特性研究 | 第51-79页 |
| 4.1 器件研制及实验设计 | 第51-52页 |
| 4.2 薄势垒F注入HEMT器件的电流-电压特性 | 第52-55页 |
| 4.3 薄势垒F注入HEMT器件的电容-电压特性 | 第55-60页 |
| 4.3.1 F注入CV圆环测试 | 第55-58页 |
| 4.3.2 F注入HEMT变频CV特性 | 第58-60页 |
| 4.4 电应力下的F注入HEMT器件特性退化研究 | 第60-69页 |
| 4.4.1 电应力退化模型 | 第60-61页 |
| 4.4.2 薄势垒F注入HEMT器件关态应力测试 | 第61-66页 |
| 4.4.3 薄势垒F注入HEMT器件开态应力测试 | 第66-68页 |
| 4.4.4 关态和开态应力对F离子迁移的影响 | 第68-69页 |
| 4.5 薄势垒F注入HEMT器件陷阱分析 | 第69-78页 |
| 4.5.1 电导法原理简介 | 第70-72页 |
| 4.5.2 薄势垒F注入HEMT器件关态应力前后陷阱态变化 | 第72-76页 |
| 4.5.3 薄势垒F注入HEMT器件开态应力前后陷阱态变化 | 第76-78页 |
| 4.6 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 研究总结与展望 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-89页 |
