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隧穿场效应晶体管工艺及新结构的仿真研究

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隧穿场效应晶体管工艺及新结构的仿真研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
符号对照表第10-11页
缩略语对照表第11-14页
第一章 绪论第14-20页
  1.1 研究背景与意义第14-16页
  1.2 国内外研究现状第16-18页
  1.3 研究内容与论文结构第18-20页
第二章 隧穿场效应晶体管结构与工艺分析第20-32页
  2.1 TFET工艺对比分析第20-27页
    2.1.1 二维TFET工艺分析第20-21页
    2.1.2 TFET工艺优化第21-26页
    2.1.3 TFET工艺缺陷分析第26-27页
  2.2 TFET结构对比分析第27-29页
  2.3 本章小结第29-32页
第三章 隧穿场效应晶体管仿真模型第32-48页
  3.1 TFET工艺仿真模型第32-44页
    3.1.1 TFET离子注入及损伤模型第33-36页
    3.1.2 TFET扩散模型第36-39页
    3.1.3 TFET刻蚀模型第39-41页
    3.1.4 Boron离子注入缺陷集群模型第41页
    3.1.5 TFET工艺仿真流程搭建第41-44页
  3.2 TFET电学仿真模型第44-47页
    3.2.1 TFET隧穿机理与物理模型第44-46页
    3.2.2 基于TCAD的TFET电学特性仿真第46-47页
  3.3 本章小结第47-48页
第四章 基于平面栅的TFET工艺仿真与结果分析第48-60页
  4.1 基于平面栅的TFET工艺仿真第48-50页
  4.2 仿真结果与性能分析第50-58页
    4.2.1 电流特性分析第50-51页
    4.2.2 离子注入对TFET特性的影响第51-54页
    4.2.3 退火工艺对TFET特性的影响第54-55页
    4.2.4 TFET离子注入关联陷阱退火分析第55-58页
  4.3 本章小结第58-60页
第五章 基于新结构的TFET工艺仿真与结果分析第60-66页
  5.1 基于侧墙结构的TFET工艺仿真第60-61页
  5.2 基于栅源覆盖结构的TFET工艺仿真第61-64页
  5.3 基于Pocket掺杂结构的TFET工艺仿真第64-65页
  5.4 本章小结第65-66页
第六章 结论与展望第66-68页
参考文献第68-74页
致谢第74-76页
作者简介第76-77页

本篇论文共77页,点击这进入下载页面
 
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