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隧穿场效应晶体管工艺及新结构的仿真研究
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隧穿场效应晶体管工艺及新结构的仿真研究
论文目录
摘要
第1-6页
ABSTRACT
第6-10页
符号对照表
第10-11页
缩略语对照表
第11-14页
第一章 绪论
第14-20页
1.1 研究背景与意义
第14-16页
1.2 国内外研究现状
第16-18页
1.3 研究内容与论文结构
第18-20页
第二章 隧穿场效应晶体管结构与工艺分析
第20-32页
2.1 TFET工艺对比分析
第20-27页
2.1.1 二维TFET工艺分析
第20-21页
2.1.2 TFET工艺优化
第21-26页
2.1.3 TFET工艺缺陷分析
第26-27页
2.2 TFET结构对比分析
第27-29页
2.3 本章小结
第29-32页
第三章 隧穿场效应晶体管仿真模型
第32-48页
3.1 TFET工艺仿真模型
第32-44页
3.1.1 TFET离子注入及损伤模型
第33-36页
3.1.2 TFET扩散模型
第36-39页
3.1.3 TFET刻蚀模型
第39-41页
3.1.4 Boron离子注入缺陷集群模型
第41页
3.1.5 TFET工艺仿真流程搭建
第41-44页
3.2 TFET电学仿真模型
第44-47页
3.2.1 TFET隧穿机理与物理模型
第44-46页
3.2.2 基于TCAD的TFET电学特性仿真
第46-47页
3.3 本章小结
第47-48页
第四章 基于平面栅的TFET工艺仿真与结果分析
第48-60页
4.1 基于平面栅的TFET工艺仿真
第48-50页
4.2 仿真结果与性能分析
第50-58页
4.2.1 电流特性分析
第50-51页
4.2.2 离子注入对TFET特性的影响
第51-54页
4.2.3 退火工艺对TFET特性的影响
第54-55页
4.2.4 TFET离子注入关联陷阱退火分析
第55-58页
4.3 本章小结
第58-60页
第五章 基于新结构的TFET工艺仿真与结果分析
第60-66页
5.1 基于侧墙结构的TFET工艺仿真
第60-61页
5.2 基于栅源覆盖结构的TFET工艺仿真
第61-64页
5.3 基于Pocket掺杂结构的TFET工艺仿真
第64-65页
5.4 本章小结
第65-66页
第六章 结论与展望
第66-68页
参考文献
第68-74页
致谢
第74-76页
作者简介
第76-77页
本篇论文共
77
页,
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。
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