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半导体技术
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半导体技术类文章8100篇，页次：2/30页 【第一页‖上一页‖ 下一页‖最后页】 转到   页
 一种开关过程优化的高压IGBT驱动电[本文72页]  高温环境下IGBT建模与结温预测方法[本文80页]  GPNP晶体管电离/位移协同效应研究[本文75页]
 双极晶体管电离缺陷演化规律及物理[本文74页]  不同温度条件下GLPNP晶体管的电离辐[本文70页]  栅控PNP晶体管ELDRS效应的开关剂量[本文61页]
 超低功耗FS-IGBT研究[本文71页]  高压栅驱动电路中抑制噪声技术的研[本文63页]  4H-SiC BJT功率器件特性与工艺研究[本文84页]
 非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管的制备与[本文81页]  基于HfO_x介电层有机薄膜晶体管的制[本文68页]  1700V RC-IGBT的设计与仿真分析[本文66页]
 基于复合绝缘层的a-IGZO薄膜晶体管[本文82页]  一种低温度系数触发电流的可控硅设计[本文74页]  600V高雪崩耐量平面栅VDMOS器件优化[本文68页]
 采用双栅MOS结构的抗总剂量关键技术[本文86页]  新型700V低比导通电阻LDMOS的研究与[本文69页]  600V超结VDMOS器件的设计[本文81页]
 基于不同给体新型激基复合物的器件[本文76页]  GaN基凹槽栅MOSFET器件设计与制备技[本文81页]  基于激子调控层的有机电致发光器件[本文67页]
 基于先进半导体器件模型仿真的单粒[本文106页]  绝缘层对酞菁铜微纳单晶场效应晶体[本文55页]  DSP总剂量效应的电路级仿真研究[本文83页]
 步进式压电驱动直线运动系统的研究[本文74页]  VD功率MOSFET失效机理及寿命预测技[本文94页]  不同功能层对有机电致发光器件的发[本文66页]
 基于0.13μm工艺的split-gate DMOS[本文66页]  大电流SiC MOSFET器件关键技术与器[本文71页]  硅基GaN功率MISFET新结构研究[本文113页]
 RF LDMOS功率晶体管的特性分析与模[本文72页]  SiC MOSFET的结构设计和动态特性研[本文75页]  黑硅PIN四象限探测器研究[本文83页]
 功率VDMOS的EMI分析与抑制技术[本文68页]  GaN功率器件击穿机理与耐压新结构研[本文66页]  GaN基微波功率器件与耐压新结构研究[本文68页]
 超低比导通电阻槽型功率MOS新结构与[本文72页]  高压LDMOS器件终端技术的研究与设计[本文75页]  Spice兼容的MOSFET电离辐照模型研究[本文67页]
 基于电场集中的高I_(on)与低I_(off[本文76页]  电导增强型横向功率MOS器件新结构与[本文68页]  新型槽栅低阻LDMOS设计[本文70页]
 一种超薄SOI横向高压器件的研究与设[本文73页]  高热流密度热沉结构的数值模拟与集[本文72页]  新型深蓝光材料在有机电致发光器件[本文75页]
 太赫兹CMOS器件建模技术研究[本文85页]  半导体硅中的90°部分位错[本文74页]  基于LS_SVM的旋转盘控制系统设计[本文60页]
 直插LED高速焊线机送料系统的研究[本文90页]  T型直线压电驱动器及其驱动控制系统[本文75页]  磁控溅射制备ZnO波导层及Love波湿度[本文56页]
 钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长[本文83页]  多晶硅厚膜制备及磷、硼快速扩散[本文61页]  硅基p-n结磁电阻特性研究[本文65页]
 扫描干涉光刻中干涉条纹漂移误差分[本文97页]  硅基瞬态器件及其工艺实现的研究[本文76页]  钛离子注入对硅纳米孔柱阵列表面形[本文69页]
 高性能蓝光量子点发光二极管电子注[本文74页]  基于二维MoS_2/有机半导体异质结的[本文78页]  一种具有电子注入的槽栅IGBT的设计[本文79页]
 一种用于逆变模块的IGBT设计[本文66页]  大功率IGBT器件的结构设计优化[本文65页]  压接式IGBT器件内部电场分析与绝缘[本文52页]
 压接式IGBT封装技术研究[本文56页]  静电感应晶体管的等效电路模型及其[本文71页]  AlGaN/GaN凹槽栅MISHEMT器件工艺与[本文88页]
 低关态电流的InN/SiGe/Si隧穿场效应[本文67页]  具有槽型电荷平衡结构的低阻DMOS设[本文69页]  石墨烯光电探测器的功能化研究[本文70页]
 亚微米级MOSFET器件模型分析及BSIM[本文60页]  有机光敏场效应管接触电阻研究[本文80页]  碳量子点基有机电致发光器件关键制[本文85页]
 碳量子点的制备及其在有机发光二极[本文75页]  界面修饰提升有机场效应管光电性能[本文101页]  GaN功率器件的负压驱动电路研究与设[本文84页]
 TiO_2复合纳米膜电场条件下抗菌性能[本文65页]  图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫机[本文63页]  表面微加工多晶硅薄膜热学特性及力[本文65页]
 ZnO/MgO核壳量子点制备及其发光特性[本文61页]  聚合物辅助沉积法制备纳米二硫化钼[本文75页]  激光辅助Ga滴迁移行为的研究[本文67页]
 表面等离子体共振腔超衍射极限成像[本文63页]  全包封产品的绝缘问题失效机理及改善[本文49页]  半导体晶圆制造自动物料运输系统实[本文109页]
 聚焦离子束的微结构溅射刻蚀轮廓计[本文76页]  面向半导体封装后测试的MES服务器端[本文88页]  10A/300V结势垒控制肖特基管的研制[本文64页]
 基于LED和微纳导光膜的可见太阳光模[本文86页]  基于水溶性碲化镉量子点的LED器件制[本文52页]  半极性AlGaN材料的外延生长及表征[本文80页]
 高速高精度LED固晶目标识别定位系统[本文77页]  IGBT模块热阻测试方法及其退化估测[本文79页]  IGBT模块电热特性测试试验研究[本文75页]
 IGBT模块的热应力分布及其与器件寿[本文66页]  IGBT功率模块电热参数的时间序列与[本文77页]  IGBT模块通态电热特性退化试验研究[本文75页]
 550V U型沟道厚膜SOI-LIGBT器件特性[本文78页]  具有温度相关性的薄膜晶体管电流模[本文67页]  柔性工艺薄膜晶体管直流栅应力可靠[本文67页]
 基于光电二极管和光电晶体管探测器[本文56页]  基于二硫化钼的场效应晶体管制备与[本文93页]  低压高性能单色磷光铱配合物有机发[本文76页]
 6kW功率半桥模块的寄生参数研究与优[本文69页]  厚膜SOI-LDMOS安全工作区的研究与设[本文71页]  新型分段浅槽隔离LDMOS器件研究[本文79页]
 SiC MOSFET的隔离谐振驱动电路设计[本文79页]  反激式开关电源用600V低EMI噪声高能[本文93页]  单根InAs纳米线探测器的制备与特性[本文56页]
 阶梯图形化SOI MOSFET器件及其可靠[本文68页]  无结FinFET器件三维仿真研究[本文58页]  基于温度自适应调节的功率器件栅驱[本文89页]
 用于白光LED的Ca_3Al_2O_6:Ce~(3+)[本文70页]  离子束刻蚀制作中阶梯光栅研究[本文61页]  纳米尺寸肖特基二极管电传输性能研究[本文69页]
 β-Ga_2O_3/p-Si异质结生长及其光电[本文74页]  炼硅煤质还原剂性能表征及制备流程[本文99页]  激光分子束外延生长GaN薄膜[本文70页]
 基于啁啾光栅的表面等离子体超分辨[本文66页]  石英晶体基片高效精密加工装备控制[本文75页]  亚固结磨料线锯挂浆性能研究[本文72页]
 GaN基紫光LED ITO透明电极透光率优[本文80页]  LED工业生产现场异构状态数据采集技[本文107页]  表面二维光子晶体氮化物LED芯片制备[本文66页]
 可见光通信中白光LED空间光强分布的[本文83页]  基于平衡电容的多通道LED驱动电路研[本文90页]  有机色素酞菁铅薄膜晶体管制备与光[本文59页]
 有机薄膜晶体管的工作特性及载流子[本文60页]  氧化锌薄膜晶体管制备工艺及性能解析[本文56页]  高k栅介质氧化锌薄膜晶体管的制备及[本文72页]
 基于非晶氧化物薄膜晶体管的标签存[本文67页]  AMOLED Mura外补偿系统的研究与实现[本文55页]  压电陶瓷驱动器的非线性建模及控制[本文96页]
 基于Sentaurus TCAD的AlGaN/GaN HE[本文58页]  基于醇溶性CuInS_2量子点的全溶液法[本文83页]  基于高激子利用率主体材料的有机电[本文85页]
 金属微纳结构的光透射增强特性及其[本文65页]  纳米金刚石薄膜PN结原型器件的制备[本文76页]  Zn_xMg_(1-x)O三元复合薄膜光电特性[本文114页]
 静电层层自组装复合磨粒及其抛光液[本文71页]  砂轮划片机关键部件对其精度的影响[本文103页]  划片机Y轴及Z轴的设计优化与精度控[本文83页]
 远程荧光粉涂覆LED光源色温均匀性研[本文58页]  关于表面光子晶体LED光提取特性的研[本文56页]  照明通信用微小尺寸LED芯片阵列封装[本文56页]
 基于双向散射分布函数的白光LED荧光[本文107页]  白光LED图形化荧光涂层制备及性能研[本文91页]  基于源极驱动的LED恒流驱动控制芯片[本文71页]
 传输特性可调Metamaterial表面研究[本文82页]  多晶硅薄膜晶体管电学特性与可靠性[本文96页]  低温、高迁移率金属氧化物薄膜晶体[本文95页]
 掺硅氧化锡薄膜晶体管的研究[本文80页]  基于新型半导体材料和热压烧结靶材[本文89页]  1200V SiC MOSFET与Si IGBT的短路可[本文76页]
 基于组合式动态热敏电参数的功率IG[本文68页]  基于有机发光二极管的薄膜封装技术[本文83页]  有机小分子电子传输材料的设计制备[本文83页]
 基于机器视觉的LED外观检测系统设计[本文66页]  基于网络控制配方动态调度的LED荧光[本文91页]  熔盐电解制备锗基和硅基材料[本文174页]
 原子层沉积方法制备非极性面ZnO异质[本文113页]  氧化锌基纳米复合材料及其光电探测[本文112页]  激光原位图形化诱导分子束外延生长[本文114页]
 硅衬底GaN基大功率LED的研制[本文98页]  准备层及量子阱区生长条件对Si衬底[本文147页]  高性能有机薄膜晶体管的研究及其应用[本文117页]
 高效率硅单光子雪崩二极管探测系统[本文109页]  盖革模式雪崩光电二极管阵列读出电[本文121页]  半导体表面导电分子线的生长机理与[本文92页]
 低维半导体材料电子结构和磁学特性[本文116页]  Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的掺杂制备及其[本文109页]  可见光通信系统的集成芯片设计及其[本文127页]
 共轭大分子电解质阴极修饰材料的设[本文148页]  GaN HEMT器件建模与高效率功率放大[本文122页]  高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与[本文159页]
 高压高性能LIGBT器件新结构研究[本文121页]  基于无穷刚度和零刚度复合作用的主[本文130页]  基于表面等离子体的超分辨光刻理论[本文123页]
 二硫族二维半导体材料的制备及性能[本文163页]  支化打断型共轭聚合物的傅克聚合及[本文155页]  ZnO发光效率提升机制研究及ZnO/ZnM[本文150页]
 掺杂金红石相宽禁带半导体磁性及介[本文133页]  ZnO纳米材料及PbS QDs/ZnO异质结制[本文123页]  基于高迁移率沟道材料的高性能有机[本文126页]
 1111-型新型块材稀磁半导体:(La_(1[本文143页]  氧化锌微米柱阵列的缺陷及发光性质[本文106页]  质子引起纳米SRAM器件单粒子翻转研[本文115页]
 Power QFN器件封装中第二焊点脱落问[本文125页]  太阳能硅片电磨削多线切割技术基础[本文164页]  氟代酞菁铜的制备及其场效应器件的[本文133页]
 高性能有机场效应晶体管的研究[本文136页]  锰、铬、铕离子掺杂几种无机发光材[本文166页]  单个半导体纳米晶多激子相关性质的[本文102页]
 半导体芯片用多晶硅材料提纯新工艺[本文26页]  增强型高压AlGaN/GaN HEMTs器件的场[本文157页]  高压SiC JFET器件的设计、制备与应[本文139页]
 氧化锌微米线酒精气体传感器研究[本文108页]  二维传感器材料的合成及化学成分空[本文125页]  小分子近红外光敏有机场效应管研究[本文125页]
 基于磷光染料掺杂荧光主体OLED发光[本文137页]  干法刻蚀辅助型GaN MOSFET的器件工[本文141页]  AIGaN基紫外LED关键制备技术的研究[本文139页]
 InGaN/GaN异质结构的侧向外延生长及[本文145页]  减薄硅片变形的测量方法与技术[本文146页]  近红外InGaAs光电阴极材料特性仿真[本文112页]
 蓝、白光顶发射有机发光二极管中的[本文130页]  冷压制备工业硅生产用碳质还原剂球[本文157页]  用于饮用水中有害阴离子检测的GaN基[本文100页]
 基于温度梯度及统计特性的IGBT模块[本文151页]  计及低强度热载荷疲劳累积效应的IG[本文123页]  SiC衬底紫外LED制备和研究[本文130页]
 AlGaN异质结雪崩光电二极管的结构设[本文101页]  基于Petri网的多组合设备最优调度与[本文120页]  极性可控的GaN与ZnO薄膜的MOCVD外延[本文174页]
 ZnO微纳米柱的生长、掺杂与性质研究[本文156页]  HVPE生长自支撑GaN单晶及其性质研究[本文120页]  用碳化稻壳电热冶金法制备超冶金级[本文139页]
 叠层式有机发光二极管的电荷产生层[本文175页]  基于电荷和激子分布调控研究高性能[本文148页]  微波毫米波GaN HEMT大信号模型研究[本文152页]
 具有两种载流子的高压功率LDMOS的研[本文112页]  基于蓝光和黄光的白光有机电致发光[本文127页]  新型HEMT太赫兹动态器件的基础研究[本文122页]
 恒流负载驱动电路失效抑制技术研究[本文131页]  二维层状晶体场效应器件电学性质的[本文114页]  行扫描驱动高压SOI横向功率器件与电[本文115页]
 基于双栅结构的非晶硅薄膜晶体管建[本文125页]  非晶铟镓锌氧薄膜晶体管在栅压应力[本文118页]  氧化物薄膜晶体管及其有源材料的研究[本文151页]
 影响纳米CMOS器件单粒子效应电荷收[本文128页]  氧化铟基薄膜晶体管的制备与性能研究[本文103页]  有机薄膜晶体管的制备及其气敏性能[本文128页]
 阱复用LIGBT与矩阵式驱动电路研究[本文110页]  利用高K绝缘介质的新型功率半导体器[本文126页]  紫外—近紫外基白光LEDs用新型磷酸[本文134页]
 新型LED人工光源的眼生物安全性的实[本文155页]  基于表面等离子干涉原理的周期减小[本文108页]  Al衬底上PLD外延组分可控AlGaN[本文187页]
 流化床内硅烷裂解制备粒状多晶硅过[本文139页]  新型Cu_2ZnSnS_4材料的制备及其光催[本文127页]  热还原—真空挥发富集提取锗研究[本文169页]
 强磁场调控ZnO稀磁半导体结构与性能[本文179页]  氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构界面[本文120页]  稀土掺杂YAG荧光膜的制备与发光性能[本文157页]
 基于表面等离子体激元/微腔效应的O[本文184页]  AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管[本文143页]  AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、[本文147页]
 基于动态热敏电参数法的大容量IGBT[本文140页]  纳米级集成电路计算光刻技术研究[本文122页]  新型碳化硅功率二极管的研究[本文143页]
 改进的锗浓缩技术及其生物传感器件[本文108页]  高压SOI-pLDMOS器件可靠性机理及模[本文157页]  双极磷光主体材料的设计、合成及器件[本文150页]
 双极型有机单晶场效应晶体管光电性[本文134页]  金纳米粒子的光电性质及应用于有机[本文139页]  有机及有机无机杂化电致发光器件研究[本文111页]
 有机电致发光器件的微结构电极研究[本文132页]  面向全有机有源显示的有机电致发光[本文115页]  硅基自旋注入器件及其界面特性研究[本文128页]
 新型聚合物绝缘材料的设计、制备及[本文158页]  硅铝酸盐基白光LED荧光粉的发光性能[本文176页]  氮极性Ⅲ族氮化物薄膜的MOCVD生长及[本文149页]
 量子点荧光粉发光机理、LED制备及用[本文140页]  胶体硒化铅量子点发光二极管的研制[本文108页]  氧化锌/石墨烯复合回音壁模微腔受激[本文106页]
 单晶硅材料超精密磨削机理研究[本文133页]  Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究[本文92页]  有机半导体材料中的分子结构、堆积[本文110页]
 MOCVD法制备的ZnO纳米结构薄膜特性[本文226页]  InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质[本文121页]  Si上锑化物的MOCVD成核生长特性研究[本文181页]
 
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