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Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究
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Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究
论文目录
摘要
第1-6页
Abstract
第6-11页
第一章 绪论
第11-35页
§1.1 Ⅲ族氮化物材料概述
第11-19页
§1.1.1 Ⅲ族氮化物材料的发展背景
第11-16页
§1.1.2 Ⅲ族氮化物材料的一些特性
第16-17页
§1.1.3 Ⅲ族氮化物材料生长技术及相应的衬底材料的介绍
第17-19页
§1.2 Ⅲ族氮化物发光二极管(LED)的概述
第19-26页
§1.2.1 Ⅲ族氮化物LED的发展背景
第19-24页
§1.2.2 Ⅲ族氮化物LED面临的一些挑战
第24-26页
§1.3 论文的主要研究内容
第26-27页
参考文献
第27-35页
第二章 InN材料的发光性质的研究
第35-54页
§2.1 引言
第35-36页
§2.2 计算方法
第36-41页
§2.3 数值计算结果和分析
第41-49页
§2.4 本章小结
第49-51页
参考文献
第51-54页
第三章 InN插入层量子阱结构绿光LED发光性质的研究
第54-74页
§3.1 引言
第54-55页
§3.2 计算流程
第55-62页
§3.3 数值结果和讨论
第62-69页
§3.3.1 InGaN-InN-InGaN/GaN量子阱结构
第62-64页
§3.3.2 InN插入层的位置的优化
第64-66页
§3.3.3 In成份界面扩散的影响
第66-67页
§3.3.4 材料增益的比较
第67-68页
§3.3.5 应变驰豫的影响
第68-69页
§3.4 本章小结
第69-71页
参考文献
第71-74页
第四章 SP增强的Ⅲ族氮化物LED的发光性质的研究
第74-87页
§4.1 引言
第74-75页
§4.2 进入SPP模的自发发射率的计算过程
第75-78页
§4.3 一个简单结构的计算结果
第78-84页
§4.4 本章小结
第84-85页
参考文献
第85-87页
第五章 结论与展望
第87-90页
§5.1 本文研究结论
第87-88页
§5.2 展望
第88-89页
参考文献
第89-90页
致谢
第90-91页
攻读博士学位期间发表的论文,参加的会议及申请的专利
第91-92页
本篇论文共
92
页,
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