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Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究

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Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 绪论第11-35页
  §1.1 Ⅲ族氮化物材料概述第11-19页
    §1.1.1 Ⅲ族氮化物材料的发展背景第11-16页
    §1.1.2 Ⅲ族氮化物材料的一些特性第16-17页
    §1.1.3 Ⅲ族氮化物材料生长技术及相应的衬底材料的介绍第17-19页
  §1.2 Ⅲ族氮化物发光二极管(LED)的概述第19-26页
    §1.2.1 Ⅲ族氮化物LED的发展背景第19-24页
    §1.2.2 Ⅲ族氮化物LED面临的一些挑战第24-26页
  §1.3 论文的主要研究内容第26-27页
参考文献第27-35页
第二章 InN材料的发光性质的研究第35-54页
  §2.1 引言第35-36页
  §2.2 计算方法第36-41页
  §2.3 数值计算结果和分析第41-49页
  §2.4 本章小结第49-51页
参考文献第51-54页
第三章 InN插入层量子阱结构绿光LED发光性质的研究第54-74页
  §3.1 引言第54-55页
  §3.2 计算流程第55-62页
  §3.3 数值结果和讨论第62-69页
    §3.3.1 InGaN-InN-InGaN/GaN量子阱结构第62-64页
    §3.3.2 InN插入层的位置的优化第64-66页
    §3.3.3 In成份界面扩散的影响第66-67页
    §3.3.4 材料增益的比较第67-68页
    §3.3.5 应变驰豫的影响第68-69页
  §3.4 本章小结第69-71页
参考文献第71-74页
第四章 SP增强的Ⅲ族氮化物LED的发光性质的研究第74-87页
  §4.1 引言第74-75页
  §4.2 进入SPP模的自发发射率的计算过程第75-78页
  §4.3 一个简单结构的计算结果第78-84页
  §4.4 本章小结第84-85页
参考文献第85-87页
第五章 结论与展望第87-90页
  §5.1 本文研究结论第87-88页
  §5.2 展望第88-89页
参考文献第89-90页
致谢第90-91页
攻读博士学位期间发表的论文,参加的会议及申请的专利第91-92页

本篇论文共92页,点击这进入下载页面
 
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