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Si上锑化物的MOCVD成核生长特性研究及热光伏器件结构模拟

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Si上锑化物的MOCVD成核生长特性研究及热光伏器件结构模拟
论文目录
 
内容提要第1-8页
第一章 绪论第8-30页
  1.1 III-V族锑化物半导体材料第8-13页
    1.1.1 锑化物材料基本性质第8-10页
    1.1.2 锑化物材料的相关应用第10-11页
    1.1.3 锑化物材料结构特性及制备技术第11-13页
  1.2 Si上锑化物外延生长第13-20页
    1.2.1 Si上锑化物应用领域及优势第13页
    1.2.2 Si基锑化物外延生长的主要困难第13-19页
    1.2.3 Si上锑化物的研究进展第19-20页
  1.3 锑化物热光伏电池第20-27页
    1.3.1 热光伏技术简介第20-23页
    1.3.2 热光伏技术技术优势和应用领域第23-25页
    1.3.3 锑化物半导体在热光伏电池中的应用第25-27页
  1.4 本论文的主要研究工作第27-30页
第二章 锑化物的MOCVD外延技术及材料表征方法第30-48页
  2.1 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术介绍第30-32页
    2.1.1 金属有机源化学气相沉积技术简介第30-32页
    2.1.2 MOCVD技术的特点及优势第32页
  2.2 锑化物的MOCVD生长技术第32-41页
    2.2.1 MOCVD技术制备锑化物材料的主要困难第32-35页
    2.2.2 MOCVD系统组成第35-41页
  2.3 锑化物材料的相关表征方法第41-47页
    2.3.1 原子力显微镜(AFM)第41-43页
    2.3.2 X射线衍射仪(XRD)第43-47页
    2.3.3 金相显微镜第47页
  2.4 本章小结第47-48页
第三章 GaSb/Si的成核机理及结构特征研究第48-82页
  3.1 GaSb/Si成核过程的实验设计与实验方案第48-49页
  3.2 生长参数对GaSb/Si成核过程的影响第49-64页
    3.2.1 生长温度对GaSb/Si成核过程的影响第49-55页
    3.2.2 气相V/III比对GaSb/Si成核过程的影响第55-59页
    3.2.3 有机源输入量对GaSb/Si初期成核的影响第59-64页
  3.3 过程参数对GaSb/Si初期成核的影响第64-72页
    3.3.1 生长时间对GaSb/Si初期成核的影响第64-68页
    3.3.2 退火时间对GaSb/Si初期成核的影响第68-72页
  3.4 衬底表面结构对GaSb/Si初期成核的影响第72-78页
    3.4.1 衬底表面锑化处理对GaSb初期成核的影响第72-74页
    3.4.2 衬底表面镓化处理对GaSb初期成核的影响第74-76页
    3.4.3 Si衬底晶面指数对GaSb/Si初期成核的影响第76-78页
  3.5 本章小结第78-82页
第四章 InxGa1-x Sb薄膜MOCVD制备及其生长特性研究第82-104页
  4.1 Inx Ga1-x Sb材料的基本性质及应用第82-84页
  4.2 InGaSb外延层的制备生长第84-85页
  4.3 InGaSb外延层晶体质量的表征与分析第85-102页
    4.3.1 生长温度的影响第85-90页
    4.3.2 气相V/III比的影响第90-96页
    4.3.3 气相Ga/III比的影响第96-102页
  4.4 本章小结第102-104页
第五章 GaSb/InGaSb热光伏电池的模拟及优化第104-154页
  5.1 热光伏电池模型及模拟分析方法第104-109页
    5.1.1 热光伏电池的物理模型第104-106页
    5.1.2 热光伏电池基本性能参数第106-109页
  5.2 热光伏电池器件结构设计与材料参数第109-118页
    5.2.1 热光伏电池器件结构设计第109-112页
    5.2.2 热光伏电池材料相关参数第112-118页
  5.3 GaSb和InGaSb单结热光伏电池特性模拟计算第118-137页
    5.3.1 热光伏电池P-N结构的选择第118页
    5.3.2 GaSb单结热光伏电池的模拟分析第118-128页
    5.3.3 InGaSb单结热光伏电池的模拟分析第128-137页
  5.4 GaSb/InGaSb双结叠层热光伏电池特性的模拟计算第137-150页
  5.5 GaSb/InGaSb双结叠层热光伏电池的优化结果第150-152页
  5.6 本章小结第152-154页
结论及创新点第154-158页
参考文献第158-172页
攻读博士学位期间发表的论文第172-174页
致谢第174-175页
中文摘要第175-178页
Abstract第178-181页

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