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氟代酞菁铜的制备及其场效应器件的性能研究

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氟代酞菁铜的制备及其场效应器件的性能研究
论文目录
 
中文摘要第1-5页
abstract第5-10页
第一章 文献综述第10-31页
  1.1 有机场效应晶体管的概述第11-21页
    1.1.1 有机场效应晶体管的发展历史和研究现状第11-14页
    1.1.2 有机场效应晶体管的结构及工作原理第14-16页
    1.1.3 有机场效应晶体管的主要性能参数第16-19页
    1.1.4 有机场效应晶体管的应用第19-21页
  1.2 有机场效应晶体管材料第21-29页
    1.2.1 p型有机半导体材料第21-25页
    1.2.2 n型有机半导体材料第25-27页
    1.2.3 双极性有机半导体材料第27-29页
  1.3 有机场效应晶体管存在的问题第29-30页
  1.4 本论文主要工作内容第30-31页
第二章 氟取代酞菁铜的合成与表征第31-48页
  2.1 主要原料及试剂第32-33页
  2.2 仪器与设备第33-34页
  2.3 氟代酞菁铜的合成方法第34-42页
    2.3.1 四氟取代酞菁铜的合成第34-36页
    2.3.2 八氟取代酞菁铜的合成第36-40页
    2.3.3 十二氟取代酞菁铜的合成第40-41页
    2.3.4 十六氟取代酞菁铜的合成第41-42页
  2.4 结果与讨论第42-47页
    2.4.1 氟代邻苯二甲酸法合成八氟取代酞菁铜工艺优化第42-44页
    2.4.2 氟代酞菁铜合成工艺比较第44页
    2.4.3 氟代酞菁铜升华提纯第44-45页
    2.4.4 氟代酞菁铜结构表征第45-47页
  2.5 本章小结第47-48页
第三章 氟代酞菁铜的性能研究第48-61页
  3.1 主要原料与试剂第48-49页
  3.2 主要实验仪器第49-50页
  3.3 实验方法第50-51页
    3.3.1 紫外-可见吸收光谱测试第50页
    3.3.2 循环伏安测试第50页
    3.3.3 扫描电镜测试第50页
    3.3.4 材料本征迁移率测试第50-51页
  3.4 结果与讨论第51-60页
    3.4.1 氟取代酞菁铜在DMF溶剂中的吸光性能研究第51-53页
    3.4.2 氟取代酞菁铜的固体薄膜吸光性能研究第53-54页
    3.4.3 氟取代酞菁铜的电化学性能研究第54-56页
    3.4.4 氟取代酞菁铜表面形貌性能研究第56-57页
    3.4.5 氟取代酞菁铜的迁移性能研究第57-60页
  3.5 本章小结第60-61页
第四章 十六氟取代酞菁铜场效应器件的优化第61-83页
  4.1 主要原料与试剂第61-62页
  4.2 主要实验仪器第62页
  4.3 有机薄膜晶体管的制备第62-63页
    4.3.1 硅片的处理第62页
    4.3.2 硅片表面的修饰第62-63页
    4.3.3 场效应器件的制备第63页
  4.4 全氟酞菁铜场效应器件制备工艺研究第63-82页
    4.4.1 F_(16)CuPc的OTFTs的制备工艺研究第64-69页
    4.4.2 绝缘层修饰OTS对F_(16)CuPc器件的影响第69-76页
    4.4.3 绝缘层修饰p-6P的F_(16)CuPc器件制备工艺研究第76-81页
    4.4.4 绝缘层修饰p-6P的F_(16)CuPc器件寿命的研究第81-82页
  4.5 本章小结第82-83页
第五章 氟取代对酞菁铜场效应器件的影响第83-99页
  5.1 主要原料与试剂第84-85页
  5.2 主要实验仪器第85页
  5.3 实验方法第85-88页
    5.3.1 理论计算说明第85-87页
    5.3.2 场效应器件的制备与表征第87-88页
  5.4 结果与讨论第88-98页
    5.4.1 氟取代对酞菁铜分子能级的影响第88-91页
    5.4.2 FxCuPc在薄膜中的结晶性研究第91-92页
    5.4.3 FxCuPc薄膜形貌研究第92-93页
    5.4.4 氟代酞菁铜对载流子迁移率的影响第93-98页
  5.5 本章小结第98-99页
第六章 结论、创新点和展望第99-101页
  6.1 本文结论第99-100页
  6.2 本文创新点第100页
  6.3 展望第100-101页
参考文献第101-112页
发表论文和科研情况说明第112-113页
附录第113-132页
致谢第132-133页

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