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图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫机制研究
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图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫机制研究
论文目录
摘要
第1-6页
ABSTRACT
第6-9页
第一章 绪论
第9-20页
1.1 纳米岛的特性
第10-12页
1.1.1 量子尺寸效应
第11页
1.1.2 表面效应
第11页
1.1.3 宏观量子隧道效应
第11-12页
1.1.4 库伦阻塞效应
第12页
1.2 纳米岛的应用
第12-15页
1.2.1 纳米岛发光二极管
第13页
1.2.2 纳米岛激光器
第13-14页
1.2.3 纳米岛红外探测器
第14-15页
1.2.4 纳米岛半导体光放大器
第15页
1.3 异质外延纳米岛的生长机制
第15-17页
1.4 异质外延纳米岛的有序生长
第17-18页
1.4.1 多层生长
第17-18页
1.4.2 图形衬底异质外延
第18页
1.5 本文的主要工作
第18-20页
第二章 连续弹性理论和有限元法
第20-29页
2.1 连续弹性理论
第20-24页
2.2 有限元法
第24-29页
第三章 Si(001)衬底上异质外延GeSi纳米岛应变弛豫
第29-38页
3.1 Si(001)衬底GeSi纳米岛
第29-31页
3.2 最佳高宽比
第31-34页
3.3 异质外延GeSi纳米岛的实验制备
第34-36页
3.4 小结
第36-38页
第四章 图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫的影响因素
第38-54页
4.1 倒金字塔坑Si图形衬底异质外延GeSi纳米岛模型
第38-39页
4.2 倒金字塔形坑对应变弛豫的影响
第39-40页
4.3 坑倾角、填充率对于应变弛豫的影响
第40-53页
4.4 小结
第53-54页
第五章 总结和展望
第54-57页
参考文献
第57-62页
致谢
第62-63页
攻读学位期间发表的学术论文
第63页
本篇论文共
63
页,
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。
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