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图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫机制研究

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图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫机制研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
第一章 绪论第9-20页
  1.1 纳米岛的特性第10-12页
    1.1.1 量子尺寸效应第11页
    1.1.2 表面效应第11页
    1.1.3 宏观量子隧道效应第11-12页
    1.1.4 库伦阻塞效应第12页
  1.2 纳米岛的应用第12-15页
    1.2.1 纳米岛发光二极管第13页
    1.2.2 纳米岛激光器第13-14页
    1.2.3 纳米岛红外探测器第14-15页
    1.2.4 纳米岛半导体光放大器第15页
  1.3 异质外延纳米岛的生长机制第15-17页
  1.4 异质外延纳米岛的有序生长第17-18页
    1.4.1 多层生长第17-18页
    1.4.2 图形衬底异质外延第18页
  1.5 本文的主要工作第18-20页
第二章 连续弹性理论和有限元法第20-29页
  2.1 连续弹性理论第20-24页
  2.2 有限元法第24-29页
第三章 Si(001)衬底上异质外延GeSi纳米岛应变弛豫第29-38页
  3.1 Si(001)衬底GeSi纳米岛第29-31页
  3.2 最佳高宽比第31-34页
  3.3 异质外延GeSi纳米岛的实验制备第34-36页
  3.4 小结第36-38页
第四章 图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫的影响因素第38-54页
  4.1 倒金字塔坑Si图形衬底异质外延GeSi纳米岛模型第38-39页
  4.2 倒金字塔形坑对应变弛豫的影响第39-40页
  4.3 坑倾角、填充率对于应变弛豫的影响第40-53页
  4.4 小结第53-54页
第五章 总结和展望第54-57页
参考文献第57-62页
致谢第62-63页
攻读学位期间发表的学术论文第63页

本篇论文共63页,点击这进入下载页面
 
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