半导体硅中的90°部分位错——基于P-N晶格理论和第一性原理计算的研究 |
论文目录 | | 中文摘要 | 第1-4页 | 英文摘要 | 第4-8页 | 1 绪论 | 第8-30页 | 1.1 前言 | 第8-9页 | 1.2 半导体硅中的位错 | 第9-27页 | 1.2.1 glide部分位错和shuffle部分位错 | 第10-16页 | 1.2.2 扭折 | 第16-19页 | 1.2.3 位错的移动 | 第19-22页 | 1.2.4 90o部分位错 | 第22-27页 | 1.3 本文的研究内容 | 第27-30页 | 2 全离散位错方程 | 第30-34页 | 2.1 引言 | 第30页 | 2.2 镜像对称的一般方程 | 第30-32页 | 2.3 核心矩阵?和位错方程 | 第32-33页 | 2.4 本章小结 | 第33-34页 | 3 位错方程的解 | 第34-48页 | 3.1 引言 | 第34-35页 | 3.2 弹性常数和{111}面的 γ-势 | 第35-40页 | 3.2.1 第一性原理计算 | 第35页 | 3.2.2 弹性常数 | 第35-37页 | 3.2.3 {111}面的 γ-势 | 第37-40页 | 3.3 位错方程及其解 | 第40-46页 | 3.4 本章小结 | 第46-48页 | 4 应力场和芯重构 | 第48-64页 | 4.1 引言 | 第48-49页 | 4.2 应力场 | 第49-54页 | 4.3 芯重构 | 第54-63页 | 4.4 本章小结 | 第63-64页 | 5 结论与展望 | 第64-66页 | 5.1 本文的主要结论 | 第64-65页 | 5.2 后续研究工作的展望 | 第65-66页 | 致谢 | 第66-68页 | 参考文献 | 第68-74页 | 附录 | 第74页 | A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文题目 | 第74页 | B. 作者在攻读硕士学位期间获得的奖励 | 第74页 | C. 作者在攻读硕士学位期间参加的学术会议 | 第74页 |
|
|
|
| |