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半导体硅中的90°部分位错——基于P-N晶格理论和第一性原理计算的研究

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半导体硅中的90°部分位错——基于P-N晶格理论和第一性原理计算的研究
论文目录
 
中文摘要第1-4页
英文摘要第4-8页
1 绪论第8-30页
  1.1 前言第8-9页
  1.2 半导体硅中的位错第9-27页
    1.2.1 glide部分位错和shuffle部分位错第10-16页
    1.2.2 扭折第16-19页
    1.2.3 位错的移动第19-22页
    1.2.4 90o部分位错第22-27页
  1.3 本文的研究内容第27-30页
2 全离散位错方程第30-34页
  2.1 引言第30页
  2.2 镜像对称的一般方程第30-32页
  2.3 核心矩阵?和位错方程第32-33页
  2.4 本章小结第33-34页
3 位错方程的解第34-48页
  3.1 引言第34-35页
  3.2 弹性常数和{111}面的 γ-势第35-40页
    3.2.1 第一性原理计算第35页
    3.2.2 弹性常数第35-37页
    3.2.3 {111}面的 γ-势第37-40页
  3.3 位错方程及其解第40-46页
  3.4 本章小结第46-48页
4 应力场和芯重构第48-64页
  4.1 引言第48-49页
  4.2 应力场第49-54页
  4.3 芯重构第54-63页
  4.4 本章小结第63-64页
5 结论与展望第64-66页
  5.1 本文的主要结论第64-65页
  5.2 后续研究工作的展望第65-66页
致谢第66-68页
参考文献第68-74页
附录第74页
  A. 作者在攻读硕士学位期间发表的论文题目第74页
  B. 作者在攻读硕士学位期间获得的奖励第74页
  C. 作者在攻读硕士学位期间参加的学术会议第74页

本篇论文共74页,点击这进入下载页面
 
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