Spice兼容的MOSFET电离辐照模型研究

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Spice兼容的MOSFET电离辐照模型研究

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Spice兼容的MOSFET电离辐照模型研究

论文目录
摘要	第1-6页
abstract	第6-10页
第一章绪论	第10-17页
1.1 研究工作的背景与意义	第10-12页
1.2 国内外研究历史与现状	第12-14页
1.3 本文的主要贡献与创新	第14-15页
1.4 本论文的结构安排	第15-17页
第二章辐照损伤理论基础	第17-32页
2.1 辐照源分类解析	第17-18页
2.2 MOS晶体管氧化层中的带电粒子和陷阱形成	第18-21页
2.3 辐照损伤理论概述	第21-25页
2.3.1 电子空穴对产生及输运	第21-23页
2.3.2 氧化层有效电荷陷阱的产生	第23-25页
2.4 辐照环境下MOS器件性能退化的规律	第25-29页
2.4.1 阈值电压漂移	第25-27页
2.4.2 泄漏电流变化	第27-29页
2.4.3 跨导退化	第29页
2.5 影响器件辐照效应的因素	第29-31页
2.6 本章总结	第31-32页
第三章辐照实验及结果分析	第32-43页
3.1 辐照条件与试验样品	第32-34页
3.2 实验数据分析	第34-42页
3.2.1 转移特性曲线	第34-36页
3.2.2 不同栅偏压对器件性能退化的影响	第36-38页
3.2.3 跨导	第38-39页
3.2.4 输出特性曲线	第39-41页
3.2.5 关态漏电流	第41-42页
3.3 本章小结	第42-43页
第四章氧化层有效电荷陷阱和漏电流建模	第43-59页
4.1 辐照损伤模型	第43-51页
4.1.1 阈值电压漂移模型	第43-46页
4.1.2 场区漏电流模型	第46-51页
4.2 仿真结果及分析	第51-53页
4.3 第三方数据拟合	第53-55页
4.4 电路评估	第55-58页
4.5 本章小结	第58-59页
第五章全文总结与展望	第59-61页
5.1 全文总结	第59-60页
5.2 后续工作展望	第60-61页
致谢	第61-62页
参考文献	第62-66页
攻读硕士学位期间取得的成果	第66-67页

本篇论文共67页，点击这进入下载页面。

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