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硅基p-n结磁电阻特性研究

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硅基p-n结磁电阻特性研究
论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-17页
  1.1 引言第8-9页
  1.2 磁电阻效应第9页
  1.3 半导体磁电阻特性研究现状第9-11页
  1.4 Si基p-n结磁电阻特性研究现状第11-15页
  1.5 Si基p-n结磁电阻特性研究面临的主要问题第15页
  1.6 本论文的主要内容第15-17页
第二章 平面型p-n结磁电阻特性第17-37页
  2.1 数值仿真基本模型第17-21页
  2.2 平面型p-n结磁电阻特性第21-27页
    2.2.1 正偏p-n结的磁电阻特性第21-26页
    2.2.2 反偏p-n结的磁电阻特性第26-27页
  2.3 平面型p-n结几何结构对磁电阻的影响第27-29页
  2.4 p-i-n结的磁电阻特性第29-35页
    2.4.1 i区宽度对磁电阻的影响第29-31页
    2.4.2 p-i-n结的电流-电压方程第31-33页
    2.4.3 p-i-n结电流随i区宽度的非单调性变化规律第33-35页
  2.5 小结第35-37页
第三章 MOS栅型p-n结磁电阻特性第37-49页
  3.1 MOS栅型p-n结器件的基本结构与工作原理第37-42页
    3.1.1 正栅压下的磁电阻特性第39-41页
    3.1.2 负栅压下的磁电阻特性第41-42页
  3.2 氧化层厚度对磁电阻的影响第42-43页
  3.3 电极几何结构对磁电阻的影响第43-44页
  3.4 MOS栅型p-n结逻辑器件第44-48页
  3.5 小结第48-49页
第四章 介质隧穿MOS栅型p-n结磁电阻特性第49-58页
  4.1 隧穿模型简介第49-50页
  4.2 隧穿效应对MOS栅型p-n结磁电阻特性的影响第50-54页
    4.2.1 双栅隧穿下的磁电阻特性第51-54页
    4.2.2 单栅隧穿下的磁电阻特性第54页
  4.3 掺杂浓度与MOS栅型p-n结磁电阻的关系第54-55页
  4.4 MOS栅型p-n结磁电阻与器件几何结构的关系第55-57页
    4.4.1 p-n结几何结构对磁电阻的影响第55-56页
    4.4.2 隧穿层厚度对磁电阻的影响第56-57页
  4.5 小结第57-58页
第五章 主要结论与研究展望第58-60页
  5.1 主要结果及结论第58-59页
  5.2 研究展望第59-60页
参考文献第60-63页
在学期间的研究成果第63-64页
致谢第64-65页

本篇论文共65页,点击这进入下载页面
 
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