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聚合物辅助沉积法制备纳米二硫化钼及应用

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聚合物辅助沉积法制备纳米二硫化钼及应用
论文目录
 
中文摘要第1-6页
Abstract第6-12页
第一章 绪论第12-24页
  1.1 引言第12-13页
  1.2 MoS_2的基本性质第13-14页
  1.3 MoS_2的制备方法第14-19页
    1.3.1 微机械力剥离法第14-15页
    1.3.2 锂离子插层法第15-16页
    1.3.3 化学气相沉积法第16-17页
    1.3.4 水热法和溶剂热法第17-18页
    1.3.5 高温硫化法第18-19页
  1.4 MoS_2薄膜的主要应用及进展第19-24页
    1.4.1 场效应晶体管第19-20页
    1.4.2 光电传感器第20-21页
    1.4.3 电解水制氢催化剂第21-22页
    1.4.4 锂离子电池应用第22-24页
第二章 PAD方法制备纳米MoS_2的基本原理和样品表征方式第24-35页
  2.1 聚合物辅助沉积法的基本原理及设备第24-27页
    2.1.1 聚合物辅助沉积方法简介第24-26页
    2.1.2 聚合物辅助沉积方法的基本仪器第26-27页
  2.2 MoS_2薄膜和纳米片的表征方法第27-35页
    2.2.1 场发射扫描电子显微镜第27-28页
    2.2.2 透射电子显微镜第28-29页
    2.2.3 X射线衍射第29页
    2.2.4 原子力显微镜第29-30页
    2.2.5 X射线光电子能谱第30-31页
    2.2.6 紫外-可见(UV-Vis)分光光度计第31-32页
    2.2.7 拉曼光谱仪第32页
    2.2.8 荧光光谱仪第32-33页
    2.2.9 BET比表面积测试第33-35页
第三章 MoS_2薄膜和纳米薄片的制备及其性质分析第35-50页
  3.1 引言第35页
  3.2 实验材料第35-36页
  3.3 厚度可控MoS_2薄膜的制备第36-37页
    3.3.1 前驱体溶液的配制第36页
    3.3.2 旋涂法成膜第36页
    3.3.3 管式炉高温退火处理第36-37页
    3.3.4 薄膜厚度的控制第37页
  3.4 超薄MoS_2纳米片的制备第37-38页
  3.5 厚度可控MoS_2薄膜的性质分析第38-43页
    3.5.1 MoS_2薄膜的结构表征第38-39页
    3.5.2 MoS_2薄膜的表面形貌第39-40页
    3.5.3 MoS_2薄膜的光学特性第40-43页
    3.5.4 MoS_2薄膜的价态分析第43页
  3.6 不同尺寸和厚度MoS_2纳米薄片的性质分析第43-48页
    3.6.1 不同退火温度得到的纳米片的形貌表征第43-46页
    3.6.2 对不同退火温度得到样品的BET数据测试第46-47页
    3.6.3 对T850样品的其他表征第47-48页
  3.7 本章小结第48-50页
第四章 MoS_2薄膜应用于光电感应器件的研究第50-55页
  4.1 引言第50页
  4.2 光响应器件的制作过程第50-51页
  4.3 光响应器件的测试第51-54页
    4.3.1 开关比测试第51-53页
    4.3.2 稳定性测试第53-54页
  4.4 本章小结第54-55页
第五章 超薄MoS_2纳米片在电催化析氢方面的研究第55-59页
  5.1 引言第55页
  5.2 电解水析氢催化性能的测试第55-58页
    5.2.1 工作电极的制备过程第56页
    5.2.2 线性扫描伏安法曲线(LSV)第56-57页
    5.2.3 塔菲尔曲线(Tafel)第57页
    5.2.4 稳定性测试第57-58页
  5.3 本章小结第58-59页
第六章 总结和展望第59-62页
  6.1 全文总结第59-61页
  6.2 存在的问题和展望第61-62页
参考文献第62-72页
攻读硕士学位期间的学术成果第72-74页
致谢第74-75页

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