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激光辅助Ga滴迁移行为的研究

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激光辅助Ga滴迁移行为的研究

论文目录
中文摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第一章绪论	第9-29页
1.1 引言—纳米半导体材料	第9-11页
1.2 零维量子点、量子环研究进展	第11-12页
1.3 零维量子点、量子环的制备方法	第12-18页
1.3.1 自上而下的生长方法	第13-14页
1.3.2 自下而上的生长方法	第14-16页
1.3.3 液滴外延的生长方法	第16-18页
1.4 纳米液滴的制备方法	第18-19页
1.4.1 高真空系统中直接沉积方法	第18-19页
1.4.2 聚焦离子束轰击诱导方法	第19页
1.4.3 高真空系统中高温退火方法	第19页
1.5 液滴的应用	第19-21页
1.5.1 液滴外延生长量子环	第20-21页
1.5.2 液滴自催化纳米线	第21页
1.6 论文研究的意义和本文的内容安排	第21-23页
参考文献	第23-29页
第二章实验技术简介	第29-42页
2.1 分子束外延（MBE）技术	第29-31页
2.2 分子束外延（MBE）设备	第31-35页
2.2.1 超高真空系统	第32页
2.2.2 外延生长系统	第32-33页
2.2.3 原位监测系统	第33-35页
2.3 原子力显微镜（AFM）	第35-37页
2.4 实验光路的搭建	第37-40页
2.5 本章小结	第40-41页
参考文献	第41-42页
第三章原位脉冲激光对金属Ga滴迁移的影响	第42-56页
3.1 引言	第42-43页
3.2 原位辐照Ga滴实验	第43-44页
3.3 实验结果分析与讨论	第44-52页
3.4 本章小结	第52-53页
参考文献	第53-56页
第四章温度对金属Ga滴迁移的影响	第56-64页
4.1 引言	第56页
4.2 样品生长	第56-57页
4.3 实验结果分析与讨论	第57-62页
4.4 本章小结	第62-63页
参考文献	第63-64页
第五章总结与展望	第64-66页
致谢	第66-67页

本篇论文共67页，点击这进入下载页面。

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