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Al衬底上PLD外延组分可控AlGaN

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Al衬底上PLD外延组分可控AlGaN
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第一章 绪论第14-38页
  1.1 引言第14页
  1.2 AlGaN的基本属性及其应用第14-22页
    1.2.1 AlGaN的结构第14-17页
    1.2.2 AlGaN的性质第17-18页
    1.2.3 AlGaN的应用第18-22页
  1.3 AlGaN外延的研究现状第22-33页
    1.3.1 AlGaN的外延生长技术第22-25页
    1.3.2 AlGaN的外延衬底第25-29页
    1.3.3 金属衬底上AlGaN的外延生长第29-33页
  1.4 AlGaN外延生长中存在的问题及本论文的解决方案第33-35页
  1.5 本论文的研究内容和目标第35-36页
  1.6 本论文的创新点第36-38页
第二章 实验与设备第38-58页
  2.1 引言第38页
  2.2 PLD外延生长设备第38-40页
    2.2.1 激光系统第38-39页
    2.2.2 真空生长系统第39-40页
    2.2.3 射频等离子体发生器第40页
    2.2.4 反射式高能电子衍射仪第40页
  2.3 PLD外延生长薄膜原理第40-45页
    2.3.1 激光和靶材之间的相互作用第41-42页
    2.3.2 等离子体的绝热膨胀传输第42-43页
    2.3.3 等离子体在衬底表面沉积第43-45页
  2.4 工艺参数对薄膜外延的影响第45-48页
    2.4.1 脉冲激光能量第45-46页
    2.4.2 外延生长气压第46-47页
    2.4.3 外延生长温度第47页
    2.4.4 靶基距第47-48页
    2.4.5 氮化工艺第48页
  2.5 激光Raster技术第48-49页
  2.6 表征方法第49-58页
    2.6.1 X射线衍射仪第50-51页
    2.6.2 反射式高能电子衍射仪第51-52页
    2.6.3 光学显微镜第52-53页
    2.6.4 扫描电子显微镜第53-54页
    2.6.5 原子力显微镜第54-55页
    2.6.6 透射电子显微镜第55页
    2.6.7 拉曼光谱仪第55-56页
    2.6.8 白光干涉测厚仪第56-58页
第三章 Al衬底上PLD外延生长AlN第58-96页
  3.1 AlN外延存在的问题第58-59页
  3.2 Al衬底上PLD外延生长AlN的工艺流程第59页
  3.3 PLD工艺对AlN外延的影响第59-74页
    3.3.1 单脉冲激光能量第59-63页
    3.3.2 外延生长气压第63-67页
    3.3.3 外延生长温度第67-71页
    3.3.4 衬底氮化第71-74页
  3.4 Al衬底上PLD外延AlN的特性研究第74-84页
    3.4.1 外延生长关系第74-77页
    3.4.2 应力状态第77-81页
    3.4.3 界面性质第81-84页
  3.5 激光Raster对AlN外延的均匀性影响第84-88页
    3.5.1 厚度均匀性第86-87页
    3.5.2 表面粗糙度均匀性第87-88页
  3.6 Al衬底上PLD外延AlN的缺陷分析及生长机理第88-95页
    3.6.1 缺陷分析第88-90页
    3.6.2 外延生长机理第90-95页
  3.7 本章小结第95-96页
第四章 Al衬底上PLD外延生长组分可控AlGaN第96-131页
  4.1 组分可控AlGaN外延面临的困难第96-97页
  4.2 不同Al组分的AlGaN外延第97-109页
    4.2.1 生长靶材的选择第97-101页
    4.2.2 Al组分可控AlGaN外延第101-109页
  4.3 AlGaN外延的优化第109-118页
    4.3.1 PLD工艺参数对AlGaN外延的影响第109-115页
    4.3.2 两步生长法对AlGaN外延的影响第115-118页
  4.4 AlGaN外延的特性研究第118-125页
    4.4.1 外延生长关系第118-121页
    4.4.2 应力状态第121-123页
    4.4.3 界面性质第123-125页
  4.5 AlGaN的组分均匀性研究第125-126页
  4.6 Al衬底上PLD外延AlGaN的缺陷分析第126-128页
  4.7 Al衬底上PLD外延AlGaN的生长机理第128-129页
  4.8 本章小结第129-131页
第五章 Al衬底上PLD外延生长GaN第131-163页
  5.1 GaN外延存在的困难第131-132页
  5.2 不采用缓冲层外延GaN第132-142页
    5.2.1 外延生长温度对GaN外延的影响第132-134页
    5.2.2 单脉冲激光能量对GaN外延的影响第134-137页
    5.2.3 Al衬底上GaN外延的特性研究第137-142页
  5.3 采用不同晶态缓冲层外延GaN第142-147页
    5.3.1 GaN外延的晶态缓冲层选择第142-145页
    5.3.2 AlN晶态缓冲层上GaN外延的工艺优化第145-147页
  5.4 采用AlN非晶插入层外延GaN第147-158页
    5.4.1 AlN非晶插入层对GaN外延的影响第147-152页
    5.4.2 AlN/Al异质结上外延GaN的特性第152-158页
  5.5 AlN/Al异质结上PLD外延GaN的成核机理第158-161页
  5.6 本章小结第161-163页
结论第163-165页
参考文献第165-181页
攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果第181-186页
致谢第186-187页
附件第187页

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