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常开型SiC JFET功率器件的热可靠性研究

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常开型SiC JFET功率器件的热可靠性研究
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
符号对照表第12-14页
缩略语对照表第14-17页
第一章 绪论第17-27页
  1.1 SiC材料及SiC功率器件第17-20页
    1.1.1 SiC材料的优势第17-18页
    1.1.2 SiC功率器件第18-20页
  1.2 SiC JFET功率器件的热可靠性研究背景第20-24页
    1.2.1 高温SiC JFET功率器件及应用第20-21页
    1.2.2 SiC JFET功率器件的热可靠性第21-24页
  1.3 SiC JFET热可靠性研究现状、存在的问题及研究意义第24-26页
  1.4 本文的主要工作第26-27页
第二章 SiC JFET器件热稳定性分析及仿真第27-39页
  2.1 SiC JFET器件热稳定性分析第27-32页
    2.1.1 SiC JFET器件结构第27-29页
    2.1.2 器件可耗散掉的功率第29-30页
    2.1.3 器件的热平衡工作点第30-32页
  2.2 SiC JFET器件电热仿真采用的物理模型第32-35页
    2.2.1 热力学模型第32-33页
    2.2.2 其他关键的物理模型第33-35页
  2.3 SiC JFET器件的正向特性及结温仿真第35-38页
    2.3.1 自热效应对SiC JFET器件特性的影响第35-37页
    2.3.2 器件静态工作时内部温度分布第37-38页
  2.4 本章小结第38-39页
第三章 SiC JFET器件静态特性及结温的影响因素第39-57页
  3.1 栅偏置与工作环境对SiC JFET正向特性和结温的影响第39-44页
    3.1.1 栅偏置对器件正向特性及结温的影响第39-41页
    3.1.2 环境温度和散热条件对器件正向特性及结温的影响第41-44页
  3.2 温度对SiC JFET器件阈值电压的影响第44-46页
  3.3 结构参数设计对SiC JFET器件静态特性和结温的影响第46-55页
    3.3.1 沟道宽度对器件静态特性和结温的影响第47-51页
    3.3.2 漂移层宽度对器件静态特性和结温的影响第51-55页
  3.4 本章小结第55-57页
第四章 SiC JFET器件的雪崩模式仿真及热可靠性研究第57-73页
  4.1 雪崩测试原理及SiC JFET器件雪崩模式仿真第57-59页
  4.2 SiC JFET在不同条件下的雪崩模式仿真第59-65页
    4.2.1 不同电感负载下器件的雪崩特性及结温仿真第59-63页
    4.2.2 不同初始雪崩电流对SiC JFET雪崩特性及热可靠性的影响第63-65页
  4.3 不同条件下的雪崩实验第65-71页
    4.3.1 不同电感负载下器件的雪崩实验第66-67页
    4.3.2 不同初始雪崩电流下器件的雪崩实验第67-71页
  4.4 本章小结第71-73页
第五章 结论和展望第73-77页
参考文献第77-83页
致谢第83-85页
作者简介第85-86页

本篇论文共86页,点击这进入下载页面
 
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