铟镓锌氧化物半导体器件制备与性能研究

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铟镓锌氧化物半导体器件制备与性能研究

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铟镓锌氧化物半导体器件制备与性能研究

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-11页
1 绪论	第11-24页
1.1 引言	第11-12页
1.2 IGZO半导体薄膜	第12-15页
1.2.1 IGZO结构特征	第12-13页
1.2.2 IGZO电学特性	第13-15页
1.3 薄膜晶体管简介	第15-21页
1.3.1 薄膜晶体管的结构	第15-16页
1.3.2 晶体管的工作机理	第16-19页
1.3.3 薄膜晶体管的主要参数	第19-21页
1.4 IGZO-TFT研究进展	第21-23页
1.5 本文主要研究内容和目的	第23-24页
2 薄膜制备方法与表征方法	第24-34页
2.1 薄膜制备方法	第24-28页
2.1.1 脉冲激光沉积法	第24-25页
2.1.2 溶胶凝胶法	第25页
2.1.3 溅射法	第25-27页
2.1.4 化学气相沉积法	第27-28页
2.2 薄膜的表征手段	第28-33页
2.2.1 X射线衍射	第28-29页
2.2.2 台阶仪	第29-30页
2.2.3 X射线光电子能谱	第30页
2.2.4 紫外-可见光分光光度计	第30-31页
2.2.5 霍尔效应测试系统	第31-33页
2.3 本章小结	第33-34页
3 IGZO半导体薄膜制备与性能研究	第34-47页
3.1 IGZO半导体薄膜的制备	第34-36页
3.1.1 衬底的清洗	第34-35页
3.1.2 制备IGZO薄膜	第35-36页
3.2 IGZO薄膜光学性能	第36-39页
3.3 IGZO薄膜结构与成分分析	第39-43页
3.4 IGZO薄膜电学性能	第43-45页
3.5 本章小结	第45-47页
4 IGZO薄膜晶体管的制备与性能研究	第47-62页
4.1 薄膜晶体管的制备	第47-50页
4.1.1 衬底的准备与清洗	第48页
4.1.2 绝缘层的制备	第48-49页
4.1.3 半导体层的制备	第49页
4.1.4 漏源电极的制备	第49-50页
4.2 薄膜晶体管性能研究	第50-60页
4.2.1 不同氧含量对薄膜晶体管性能研究	第51-53页
4.2.2 不同宽长比对薄膜晶体管性能研究	第53-56页
4.2.3 不同电极材料对薄膜晶体管性能研究	第56-57页
4.2.4 双层IGZO对薄膜晶体管性能的研究	第57-60页
4.3 本章小结	第60-62页
5 结论	第62-64页
参考文献	第64-69页
个人简历	第69-70页
致谢	第70页

本篇论文共70页，点击这进入下载页面。

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