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GaN基长波紫外LED多量子阱结构调整对光效的影响

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GaN基长波紫外LED多量子阱结构调整对光效的影响
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-16页
第一章 绪论第16-22页
  1.1 发光二极管(LED)的发展第16页
  1.2 LED的工作原理第16-17页
  1.3 LED的优势第17-18页
  1.4 紫外LED及其应用第18页
  1.5 紫外LED国内外研究现状第18-19页
  1.6 论文内容及结构第19-22页
第二章 GaN基半导体材料简介第22-30页
  2.1 引言第22页
  2.2 GaN基半导体材料的性质第22-25页
    2.2.1 晶体结构第22-23页
    2.2.2 能带结构第23页
    2.2.3 物理及化学性质第23-25页
    2.2.4 电学性质第25页
    2.2.5 光学性质第25页
  2.3 GaN基半导体材料的缺陷和极化效应第25-28页
    2.3.1 GaN基半导体材料的缺陷第25-26页
    2.3.2 GaN的极化效应第26-28页
  2.4 本章小结第28-30页
第三章 实验材料生长及表征技术第30-38页
  3.1 MOCVD系统第30-32页
    3.1.1 MOCVD简介第30页
    3.1.2 MOCVD气路介绍第30-31页
    3.1.3 MOCVD生长机理第31-32页
    3.1.4 MOCVD外延生长GaN基材料工艺流程第32页
  3.2 外延片表征方法第32-36页
    3.2.1 X射线衍射(XRD)第32-34页
    3.2.2 光致发光测试系统(PL)第34-35页
    3.2.3 电致发光测试(EL)第35页
    3.2.4 原子力显微镜(AFM)第35-36页
    3.2.5 扫描电子显微镜(SEM)第36页
  3.3 本章小结第36-38页
第四章 365 nm波段GaN基紫外LED的多量子阱结构调整实验方案第38-74页
  4.1 引言第38页
  4.2 实验准备第38-40页
  4.3 InGaN/AlGaN量子阱阱宽调整第一批次实验第40-49页
    4.3.1 实验样品调整序列第40页
    4.3.2 电致发光(EL)测试结果与分析第40-43页
    4.3.3 光致发光(PL)谱测试结果与分析第43-44页
    4.3.4 X射线衍射仪(XRD)测试结果与分析第44-49页
  4.4 InGaN/AlGaN量子阱垒层Al掺量调整第一批次实验第49-56页
    4.4.1 实验样品调整序列第49-50页
    4.4.2 EL测试结果与分析第50-51页
    4.4.3 PL谱测试结果与分析第51-52页
    4.4.4 XRD测试结果与分析第52-56页
  4.5 InGaN/AlGaN量子阱阱宽调整第二批次实验第56-63页
    4.5.1 实验样品调整第56页
    4.5.2 EL测试结果与分析第56-57页
    4.5.3 PL谱测试结果与分析第57-58页
    4.5.4 XRD测试结果与分析第58-62页
    4.5.5 扫描电子显微镜(SEM)测试结果与分析第62页
    4.5.6 原子力显微镜(AFM)测试结果与分析第62-63页
  4.6 InGaN/AlGaN量子阱垒层Al掺量调整第二批次实验第63-72页
    4.6.1 实验样品调整第63-64页
    4.6.2 EL测试结果与分析第64-65页
    4.6.3 PL谱测试结果与分析第65-66页
    4.6.4 XRD测试与分析第66-70页
    4.6.5 SEM测试与分析第70-71页
    4.6.6 AFM测试与分析第71-72页
  4.7 本章小结第72-74页
第五章 总结与展望第74-76页
参考文献第76-80页
致谢第80-82页
作者简介第82-83页

本篇论文共83页,点击这进入下载页面
 
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