论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
符号对照表 | 第11-12页 |
缩略语对照表 | 第12-16页 |
第一章 绪论 | 第16-22页 |
1.1 发光二极管(LED)的发展 | 第16页 |
1.2 LED的工作原理 | 第16-17页 |
1.3 LED的优势 | 第17-18页 |
1.4 紫外LED及其应用 | 第18页 |
1.5 紫外LED国内外研究现状 | 第18-19页 |
1.6 论文内容及结构 | 第19-22页 |
第二章 GaN基半导体材料简介 | 第22-30页 |
2.1 引言 | 第22页 |
2.2 GaN基半导体材料的性质 | 第22-25页 |
2.2.1 晶体结构 | 第22-23页 |
2.2.2 能带结构 | 第23页 |
2.2.3 物理及化学性质 | 第23-25页 |
2.2.4 电学性质 | 第25页 |
2.2.5 光学性质 | 第25页 |
2.3 GaN基半导体材料的缺陷和极化效应 | 第25-28页 |
2.3.1 GaN基半导体材料的缺陷 | 第25-26页 |
2.3.2 GaN的极化效应 | 第26-28页 |
2.4 本章小结 | 第28-30页 |
第三章 实验材料生长及表征技术 | 第30-38页 |
3.1 MOCVD系统 | 第30-32页 |
3.1.1 MOCVD简介 | 第30页 |
3.1.2 MOCVD气路介绍 | 第30-31页 |
3.1.3 MOCVD生长机理 | 第31-32页 |
3.1.4 MOCVD外延生长GaN基材料工艺流程 | 第32页 |
3.2 外延片表征方法 | 第32-36页 |
3.2.1 X射线衍射(XRD) | 第32-34页 |
3.2.2 光致发光测试系统(PL) | 第34-35页 |
3.2.3 电致发光测试(EL) | 第35页 |
3.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第35-36页 |
3.2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第36页 |
3.3 本章小结 | 第36-38页 |
第四章 365 nm波段GaN基紫外LED的多量子阱结构调整实验方案 | 第38-74页 |
4.1 引言 | 第38页 |
4.2 实验准备 | 第38-40页 |
4.3 InGaN/AlGaN量子阱阱宽调整第一批次实验 | 第40-49页 |
4.3.1 实验样品调整序列 | 第40页 |
4.3.2 电致发光(EL)测试结果与分析 | 第40-43页 |
4.3.3 光致发光(PL)谱测试结果与分析 | 第43-44页 |
4.3.4 X射线衍射仪(XRD)测试结果与分析 | 第44-49页 |
4.4 InGaN/AlGaN量子阱垒层Al掺量调整第一批次实验 | 第49-56页 |
4.4.1 实验样品调整序列 | 第49-50页 |
4.4.2 EL测试结果与分析 | 第50-51页 |
4.4.3 PL谱测试结果与分析 | 第51-52页 |
4.4.4 XRD测试结果与分析 | 第52-56页 |
4.5 InGaN/AlGaN量子阱阱宽调整第二批次实验 | 第56-63页 |
4.5.1 实验样品调整 | 第56页 |
4.5.2 EL测试结果与分析 | 第56-57页 |
4.5.3 PL谱测试结果与分析 | 第57-58页 |
4.5.4 XRD测试结果与分析 | 第58-62页 |
4.5.5 扫描电子显微镜(SEM)测试结果与分析 | 第62页 |
4.5.6 原子力显微镜(AFM)测试结果与分析 | 第62-63页 |
4.6 InGaN/AlGaN量子阱垒层Al掺量调整第二批次实验 | 第63-72页 |
4.6.1 实验样品调整 | 第63-64页 |
4.6.2 EL测试结果与分析 | 第64-65页 |
4.6.3 PL谱测试结果与分析 | 第65-66页 |
4.6.4 XRD测试与分析 | 第66-70页 |
4.6.5 SEM测试与分析 | 第70-71页 |
4.6.6 AFM测试与分析 | 第71-72页 |
4.7 本章小结 | 第72-74页 |
第五章 总结与展望 | 第74-76页 |
参考文献 | 第76-80页 |
致谢 | 第80-82页 |
作者简介 | 第82-83页 |