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FS结构的3300V IGBT终端设计
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FS结构的3300V IGBT终端设计
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-9页
第一章 引言第9-18页
　　1.1 IGBT发展概况第9-12页
　　1.2 结终端技术的发展概况第12-17页
　　1.3 本论文的研究意义第17页
　　1.4 本文的主要工作第17-18页
第二章 结终端基本理论第18-34页
　　2.1 PN结击穿原理第18-21页
　　　　2.1.1 雪崩击穿第18-19页
　　　　2.1.2 热击穿第19-21页
　　2.2 FS IGBT的阻断特性第21-22页
　　2.3 结终端技术第22-33页
　　　　2.3.1 等位环第23-24页
　　　　2.3.2 场限环第24-26页
　　　　2.3.3 场板第26-27页
　　　　2.3.4 VLD结合埋层第27-29页
　　　　2.3.5 斜场板结合深槽第29-31页
　　　　2.3.6 浅槽结合场限环第31-33页
　　2.4 本章小结第33-34页
第三章 终端选型及设计第34-53页
　　3.1 终端结构选型第34-36页
　　3.2 终端工艺步骤第36-41页
　　3.3 终端结构设计第41-52页
　　　　3.3.1 场氧化层厚度第42-43页
　　　　3.3.2 环间距第43-44页
　　　　3.3.3 多晶场板和金属场板拉偏第44-48页
　　　　3.3.4 温度第48-50页
　　　　3.3.5 两种电场分布结构的击穿特性对比第50-52页
　　3.4 本章小结第52-53页
第四章 版图设计及流片测试与分析第53-63页
　　4.1 版图设计第53-56页
　　　　4.1.1 版图设计规则第53-54页
　　　　4.1.2 版图设计结构第54-56页
　　4.2 流片测试与结果分析第56-62页
　　　　4.2.0 裸片测试结果分析第56-57页
　　　　4.2.1 封装测试结果分析第57-58页
　　　　4.2.2 高温反向偏置实验第58-62页
　　4.3 本章小结第62-63页
第五章 结论第63-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-67页
攻读硕士期间取得的研究成果第67-68页

本篇论文共68页，点击这进入下载页面。
 
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