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AlGaN/GaN HEMT建模与电路设计

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AlGaN/GaN HEMT建模与电路设计
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-12页
插符号对照表第12-14页
缩略语对照表第14-17页
第一章 绪论第17-23页
  1.1 半导体技术的发展第17-18页
  1.2 AlGaN/GaN HEMT器件研究现状第18-20页
  1.3 本文主要内容介绍第20-23页
第二章 AlGaN/GaN HEMT基本原理第23-29页
  2.1 GaN材料特性第23-24页
  2.2 匹配理论第24-26页
  2.3 偏置与稳定设计第26-29页
第三章 GaN HEMT器件模型研究第29-53页
  3.1 二端口网络介绍第29-30页
  3.2 GaN HEMT器件经典小信号建模第30-36页
    3.2.1 GaN HEMT器件小信号建模流程第30-31页
    3.2.2 GaN HEMT器件小信号等效电路第31页
    3.2.3 GaN HEMT器件小信号参数提取第31-34页
    3.2.4 GaN HEMT器件小信号参数优化第34-36页
  3.3 针对GaN HEMT器件改进的小信号模型第36-48页
    3.3.1 改进模型寄生参数提取第36-43页
    3.3.2 改进模型本征参数提取第43-48页
  3.4 GaN HEMT大信号模型简介第48-53页
    3.4.1 GaN HEMT大信号模型的分类及其对比第48页
    3.4.2 几种常见的大信号直流经验模型第48-50页
    3.4.3 EE_HEMT模型第50-53页
第四章 功放电路设计第53-85页
  4.1 功率放大器的类型第53-56页
  4.2 功率放大器的主要指标第56-60页
  4.3 功率分配设计第60-62页
    4.3.1 主要技术指标第60页
    4.3.2 威尔金森(Wilkinson)功分器第60-62页
  4.4 小信号电路设计第62-73页
  4.5 大信号电路设计第73-85页
第五章 总结第85-87页
参考文献第87-91页
致谢第91-93页
作者简介第93-94页

本篇论文共94页,点击这进入下载页面
 
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