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基于LPCVD-SiNx介质的GaN基器件界面特性研究

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基于LPCVD-SiNx介质的GaN基器件界面特性研究
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
符号对照表第12-14页
缩略语对照表第14-18页
第一章 绪论第18-28页
  1.1 GaN基器件的研究背景第18-23页
  1.2 GaN基器件的研究意义第23-27页
  1.3 论文安排第27-28页
第二章 GaN基器件仿真实验研究第28-42页
  2.1 GaN基器件的物理结构第28-29页
  2.2 GaN基器件的制备工艺第29-33页
  2.3 GaN基器件的工作原理第33-36页
  2.4 GaN基器件的C-V仿真第36-39页
    2.4.1 仿真方法第36-37页
    2.4.2 仿真结果第37-39页
  2.5 本章总结第39-42页
第三章 GaN MIS结构界面特性研究第42-74页
  3.1 GaN MIS器件第42-44页
  3.2 频率崩塌法第44-52页
    3.2.1 基本原理第44-48页
    3.2.2 结果分析第48-52页
  3.3 电导法第52-57页
    3.3.1 基本原理第52-55页
    3.3.2 结果分析第55-57页
  3.4 Terman法第57-68页
    3.4.1 基本原理第57-63页
    3.4.2 结果分析第63-66页
    3.4.3 三种界面态提取方法比较第66-68页
  3.5 GaN MIS的I-V特性第68-71页
  3.6 本章总结第71-74页
第四章 GaN MISHEMT器件界面特性研究第74-90页
  4.1 GaN MISHEMT器件第74-75页
  4.2 频率崩塌法第75-80页
  4.3 电导法第80-85页
  4.4 GaN MISHEMT的I-V特性第85-87页
  4.5 本章总结第87-90页
第五章 总结与展望第90-94页
参考文献第94-100页
致谢第100-101页
作者简介第101-102页

本篇论文共102页,点击这进入下载页面
 
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