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基于LPCVD-SiNx介质的GaN基器件界面特性研究
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基于LPCVD-SiNx介质的GaN基器件界面特性研究
论文目录
摘要
第1-7页
ABSTRACT
第7-12页
符号对照表
第12-14页
缩略语对照表
第14-18页
第一章 绪论
第18-28页
1.1 GaN基器件的研究背景
第18-23页
1.2 GaN基器件的研究意义
第23-27页
1.3 论文安排
第27-28页
第二章 GaN基器件仿真实验研究
第28-42页
2.1 GaN基器件的物理结构
第28-29页
2.2 GaN基器件的制备工艺
第29-33页
2.3 GaN基器件的工作原理
第33-36页
2.4 GaN基器件的C-V仿真
第36-39页
2.4.1 仿真方法
第36-37页
2.4.2 仿真结果
第37-39页
2.5 本章总结
第39-42页
第三章 GaN MIS结构界面特性研究
第42-74页
3.1 GaN MIS器件
第42-44页
3.2 频率崩塌法
第44-52页
3.2.1 基本原理
第44-48页
3.2.2 结果分析
第48-52页
3.3 电导法
第52-57页
3.3.1 基本原理
第52-55页
3.3.2 结果分析
第55-57页
3.4 Terman法
第57-68页
3.4.1 基本原理
第57-63页
3.4.2 结果分析
第63-66页
3.4.3 三种界面态提取方法比较
第66-68页
3.5 GaN MIS的I-V特性
第68-71页
3.6 本章总结
第71-74页
第四章 GaN MISHEMT器件界面特性研究
第74-90页
4.1 GaN MISHEMT器件
第74-75页
4.2 频率崩塌法
第75-80页
4.3 电导法
第80-85页
4.4 GaN MISHEMT的I-V特性
第85-87页
4.5 本章总结
第87-90页
第五章 总结与展望
第90-94页
参考文献
第94-100页
致谢
第100-101页
作者简介
第101-102页
本篇论文共
102
页,
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。
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