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对GaN基LED的光学电学特性及DSCs中负电容现象的研究

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对GaN基LED的光学电学特性及DSCs中负电容现象的研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-18页
  1.1 引言第9页
  1.2 半导体二极管发展历史、分类及研究现状分类第9-14页
    1.2.1 半导体二极管发展历史第9-10页
    1.2.2 半导体二极管的分类第10-11页
    1.2.3 半导体发光二极管的研究现状第11-14页
  1.3 太阳能电池的发展历史、分类及研究现状第14-16页
    1.3.1 太阳能电池的发展历史第14页
    1.3.2 太阳能电池分类第14-15页
    1.3.3 太阳能电池的研究现状第15-16页
  1.4 作者的主要工作第16-18页
第二章 半导体LED电学特性的基本分析方法第18-26页
  2.1 传统电流电压法(I-V法)第18-19页
  2.2 电导数方法(dV/dI法)第19-20页
  2.3 电容电压测量方法(C-V法)第20-23页
    2.3.1 并联模式第21-22页
    2.3.2 串联模式第22-23页
  2.4 AC-IV法第23-24页
  2.5 小结第24-26页
第三章 不同阱宽的多量子阱LED的电学特性第26-43页
  3.1 实验样品第26页
  3.2 GaN-MQWs-LEDs的I-V特性与阱宽关系。第26-39页
    3.2.1 传统电流-电压法测量结果第26-32页
    3.2.2 电导数方法第32页
    3.2.3 不同量子阱宽度的LED的结特性第32-39页
  3.3 GaN-MQWs-LEDs中的负电容现象第39-42页
  3.4 小结第42-43页
第四章 多量子阱LED的内量子效率及载流子浓度计算第43-57页
  4.1 发光二极管的光谱特性第43-47页
  4.2 发光二极管的ABC模型第47-48页
  4.3 不同量子阱宽的GaN-MQWs-LEDs的ABC模型中的各参数第48-55页
    4.3.1 GaN-MQWs-LEDs中的内量子效率的计算第48-50页
    4.3.2 GaN-MQWs-LEDs的ABC模型中各复合系数的计算第50-52页
    4.3.3 GaN-MQWs-LEDs中的载流子浓度的估算第52-54页
    4.3.4 GaN-MQWs-LEDs中的辐射复合寿命第54-55页
  4.4 小结第55-57页
第五章 染料敏化太阳能电池中的负电容现象第57-65页
  5.1 染料敏化太阳能电池中的负电容现象第57-58页
  5.2 输运特性第58-64页
  5.3 小结第64-65页
第六章 总结与展望第65-67页
  6.1 本文总结第65-66页
  6.2 展望第66-67页
参考文献第67-75页
发表论文和参加科研情况说明第75-76页
致谢第76-77页

本篇论文共77页,点击这进入下载页面
 
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