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中子-γ辐照对SiO2/Si位移损伤模拟研究
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中子-γ辐照对SiO2/Si位移损伤模拟研究
论文目录
 
摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-20页
　　1.1 中子和 γ 射线辐照概述第16-17页
　　1.2 国内外研究现状第17页
　　1.3 论文研究的意义第17-18页
　　1.4 本文主要研究内容第18-19页
　　1.5 本章小结第19-20页
第二章 辐射环境及辐照损伤理论第20-40页
　　2.1 辐射环境概述第20-24页
　　　　2.1.1 范艾伦辐射带（Van Allen Belt ）第21-23页
　　　　2.1.2 太阳宇宙射线（SCR）第23-24页
　　　　2.1.3 银河宇宙射线（GCR）第24页
　　2.2 辐照效应第24-27页
　　　　2.2.1 辐照效应分类第24-26页
　　　　2.2.2 辐照效应损伤模式第26-27页
　　　　2.2.3 辐照效应地面模拟实验第27页
　　2.3 辐射损伤物理机制第27-38页
　　　　2.3.1 二体碰撞理论第27-32页
　　　　2.3.2 原子势函数第32-34页
　　　　2.3.3 碰撞微分截面第34-35页
　　　　2.3.4 级联碰撞理论第35-37页
　　　　2.3.5 辐照损伤峰第37-38页
　　2.4 本章小结第38-40页
第三章 中子-γ 辐照Geant4下的物理建模和程序设计第40-54页
　　3.1 仿真软件Geant4简介及内核原理第40-43页
　　　　3.1.1 关于Geant4内核的介绍第40-41页
　　　　3.1.2 用Geant4搭建仿真平台第41-43页
　　3.2 中子-γ 辐照的物理建模和程序设计第43-52页
　　　　3.2.1 中子-γ 辐照物理过程建模第44-46页
　　　　3.2.2 中子-γ 辐照探测器物理几何结构第46-48页
　　　　3.2.3 中子-γ 辐照入射粒子源模型设计第48-50页
　　　　3.2.4 中子-γ 辐照程序的整体设计第50-52页
　　3.3 本章小结第52-54页
第四章 中子-γ 辐照SiO_2/Si材料模拟仿真及分析第54-82页
　　4.1 中子-γ 辐照Si材料仿真结果及分析第54-69页
　　　　4.1.1 单一能谱中子和 γ 粒子辐照Si探测器仿真及分析第55-61页
　　　　4.1.2 连续能谱中子辐照Si探测器仿真及分析第61-69页
　　4.2 中子辐照SiO_2材料仿真结果及分析第69-74页
　　4.3 中子辐照SOI材料仿真结果及分析第74-80页
　　4.4 本章小结第80-82页
第五章 总结与展望第82-84页
　　5.1 本文总结第82-83页
　　5.2 未来展望第83-84页
参考文献第84-88页
致谢第88-90页
作者简介第90-91页

本篇论文共91页，点击这进入下载页面。
 
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