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基于FinFET SRAM单粒子效应仿真研究
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基于FinFET SRAM单粒子效应仿真研究
论文目录
摘要
第1-7页
ABSTRACT
第7-12页
符号对照表
第12-13页
缩略语对照表
第13-16页
第一章 绪论
第16-22页
1.1 单粒子效应研究过程
第16-17页
1.2 目前研究状况以及未来发展
第17-19页
1.3 论文的结构和研究的内容
第19-22页
第二章 辐射环境介绍和单粒子效应介绍
第22-38页
2.1 辐射环境的介绍
第22-25页
2.1.1 太空辐射环境的介绍
第22-23页
2.1.2 大气的辐射环境介绍
第23-24页
2.1.3 地面辐射环境的介绍
第24-25页
2.1.4 核辐射环境的介绍
第25页
2.2 单粒子效应的分类介绍
第25-29页
2.3 单粒子翻转效应原理
第29-31页
2.3.1 电离辐射模式介绍
第30页
2.3.2 单粒子效应模型的介绍
第30-31页
2.4 单粒子辐射效应电流模型及其翻转判定
第31-33页
2.4.1 单粒子效应的电流模型
第31-32页
2.4.2 器件单粒子翻转的判定依据
第32-33页
2.5 6管SRAM的翻转机理
第33-36页
2.5.1 6管SRAM工作原理
第33-35页
2.5.2 6T SRAM的单粒子翻转效应机理分析
第35-36页
2.6 本章结论
第36-38页
第三章 FinFET器件单粒子效应的仿真
第38-54页
3.1 介绍
第38页
3.2 FinFET器件单粒子效应模型
第38-42页
3.3 Sentaurus TCAD软件模拟方法介绍
第42-46页
3.4 结果与讨论
第46-52页
3.5 本章结论
第52-54页
第四章 SRAM单元SEU效应及其加固
第54-70页
4.1 BSIM-CMG模型的介绍
第54-59页
4.2 基于FinFET和MOSFET的SRAM优缺点的分析
第59-60页
4.3 基于FinFET SRAM单元抗SEU加固设计
第60-69页
4.3.1 理论分析
第60-61页
4.3.2 仿真结果的分析
第61-69页
4.4 结论
第69-70页
第五章 总结和展望
第70-72页
5.1 工作总结
第70页
5.2 论文存在的不足及课题展望
第70-72页
参考文献
第72-76页
致谢
第76-78页
作者简介
第78-79页
本篇论文共
79
页,
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。
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