垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析

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垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析

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垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第1章绪论	第10-17页
1.1 课题的背景及意义	第10页
1.2 有机薄膜晶体管的发展和现状	第10-12页
1.3 有机半导体材料	第12-14页
1.4 薄膜传感器的概述	第14-16页
1.5 本论文的主要工作	第16-17页
第2章有机气敏晶体管基本理论	第17-24页
2.1 金属-半导体间接触理论	第17-21页
2.1.1 肖特基接触	第17-19页
2.1.2 欧姆接触	第19-21页
2.2 气敏器件的气敏机理及影响因素	第21-23页
2.2.1 酞菁的气敏特性机理	第21-22页
2.2.2 影响气敏特性的因素	第22-23页
2.3 本章小结	第23-24页
第3章垂直结构有机薄膜晶体管的制备	第24-33页
3.1 器件制备工艺	第25-28页
3.1.1 真空蒸发镀膜	第25-26页
3.1.2 溅射镀膜	第26-28页
3.2 垂直结构有机薄膜晶体管制备流程	第28-32页
3.2.1 基片处理	第29页
3.2.2 基极、集电极、发射极的制备	第29-30页
3.2.3 有机层的制备	第30-32页
3.3 本章小结	第32-33页
第4章垂直结构有机薄膜晶体管的气敏特性测试与结构分析	第33-44页
4.1 敏感特性测试	第33-34页
4.1.1 测试系统	第33页
4.1.2 实验方法	第33-34页
4.2 实验测试结果	第34-39页
4.2.1 Al/CuPc/Cu肖特基二极管特性	第34-36页
4.2.2 CuPc薄膜气敏特性分析	第36-37页
4.2.3 器件能带变化分析	第37-39页
4.3 有机薄膜三极管的Ⅰ-Ⅴ特性测试分析	第39-43页
4.4 本章小结	第43-44页
结论	第44-45页
参考文献	第45-49页
攻读学位期间发表的学术论文	第49-50页
致谢	第50页

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