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氮化铟及二氧化锡半导体纳米材料的制备及物性研究

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氮化铟及二氧化锡半导体纳米材料的制备及物性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 绪论第11-27页
  1.1 纳米材料第11-13页
    1.1.1 纳米材料概述第11-12页
    1.1.2 纳米材料的研究进展第12-13页
  1.2 InN、SnO_2纳米材料的研究背景和现状第13-20页
    1.2.1 InN、SnO_2材料的基本结构与性质第13-15页
    1.2.2 已合成出的InN、SnO_2纳米结构第15-20页
      1.2.2.1 InN纳米结构的制备进展第15-18页
      1.2.2.2 SnO_2纳米结构的制备进展第18-20页
  1.3 InN与SnO_2纳米材料的生长机制研究现状第20-25页
    1.3.1 InN纳米材料的生长机制第20-22页
    1.3.2 SnO_2纳米材料的生长机制第22-25页
  1.4 本论文的选题依据和研究内容第25-27页
第二章 样品的制备方法和表征方法第27-33页
  2.1 制备方法及设备第27-30页
  2.2 实验部分第30-33页
    2.2.1 实验装置第30页
    2.2.2 表征方法第30-33页
第三章 氮化铟三维微米结构的合成与性质表征第33-49页
  3.1 氮化铟(InN)的性质及应用第33-34页
  3.2 实验部分第34-36页
    3.2.1 实验装置第34页
    3.2.2 衬底准备第34-35页
    3.2.3 实验过程第35-36页
  3.3 三维氮化铟微米材料的表征第36-43页
    3.3.1 三维氮化铟微米材料的结构表征第36-37页
    3.3.2 生长机制分析第37-41页
    3.3.3 影响InN微米结构形貌的因素第41-43页
  3.4 InN微米结构的光学性质表征第43-47页
    3.4.1 影响光学性质的因素第44-46页
    3.4.2 两种形貌的InN微米结构的光学性质第46-47页
  3.5 本章小结第47-49页
第四章 低维二氧化锡纳米材料的制备与结构表征第49-62页
  4.1 二氧化锡(SnO_2)的性质及应用第49页
  4.2 实验部分第49-51页
    4.2.1 实验装置第49-50页
    4.2.2 衬底准备第50页
    4.2.3 实验过程第50-51页
  4.3 二氧化锡纳米材料的XRD表征第51页
  4.4 二氧化锡纳米八面体的制备及生长机制研究第51-53页
    4.4.1 二氧化锡纳米八面体的形貌分析第51-52页
    4.4.2 二氧化锡纳米八面体的生长机制研究第52-53页
  4.5 树枝状二氧化锡纳米结构的制备及生长机制研究第53-56页
    4.5.1 树枝状二氧化锡纳米结构形貌分析第54页
    4.5.2 树枝状二氧化锡纳米结构的生长机制研究第54-56页
  4.6 雾凇状二氧化锡纳米结构的制备及生长机制研究第56-57页
    4.6.1 雾凇状二氧化锡纳米结构的形貌表征第56页
    4.6.2 雾凇状二氧化锡纳米结构的生长机制研究第56-57页
  4.7 不规则粒子状二氧化锡纳米结构的制备及生长机制研究第57-60页
    4.7.1 不规则粒子状二氧化锡纳米结构形貌分析第58页
    4.7.2 不规则粒子状的二氧化锡纳米结构的生长机制研究第58-60页
  4.8 本章小结第60-62页
第五章 结论及展望第62-64页
  5.1 结论第62-63页
  5.2 展望第63-64页
参考文献第64-75页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第75-76页
致谢第76页

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