基于溶液法的金属氧化物薄膜晶体管工艺及性能研究

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基于溶液法的金属氧化物薄膜晶体管工艺及性能研究

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基于溶液法的金属氧化物薄膜晶体管工艺及性能研究

论文目录
摘要	第1-6页
abstract	第6-10页
第一章绪论	第10-18页
1.1 引言	第10页
1.2 薄膜晶体管发展历程	第10-11页
1.3 薄膜晶体管种类	第11-14页
1.3.1 非晶硅薄膜晶体管	第12页
1.3.2 多晶硅薄膜晶体管	第12-13页
1.3.3 有机薄膜晶体管	第13页
1.3.4 氧化物薄膜晶体管	第13-14页
1.4 氧化物薄膜晶体管研究现状	第14-16页
1.5 本论文主要研究内容	第16-18页
第二章薄膜晶体管基础理论	第18-27页
2.1 薄膜晶体管结构与工作原理	第18-22页
2.1.1 薄膜晶体管的基本结构	第18-19页
2.1.2 薄膜晶体管的工作原理	第19-21页
2.1.3 薄膜晶体管的性能参数	第21-22页
2.2 薄膜晶体管材料	第22-25页
2.2.1 薄膜晶体管绝缘层材料	第22-24页
2.2.2 薄膜晶体管有源层材料	第24页
2.2.3 薄膜晶体管电极材料	第24-25页
2.3 薄膜的表征方法	第25-26页
2.4 本章小结	第26-27页
第三章溶液法制备绝缘层的研究	第27-46页
3.1 实验设计	第27-28页
3.2 绝缘层薄膜的制备	第28-29页
3.3 绝缘层表面形貌及晶体结构研究	第29-31页
3.3.1 不同PVP浓度下绝缘层薄膜表面形貌	第29-30页
3.3.2 不同PVP浓度下绝缘层结晶情况	第30-31页
3.4 绝缘层电学性能研究	第31-32页
3.5 TFT器件性能测试	第32-38页
3.5.1 TFT器件的制备	第32-33页
3.5.2 TFT器件的性能测试与研究	第33-38页
3.6 修饰层对绝缘层性能影响的研究	第38-45页
3.6.1 修饰层的制备	第38-39页
3.6.2 修饰层对绝缘层表面形貌的影响	第39页
3.6.3 修饰层对绝缘层电学特性的影响	第39-41页
3.6.4 修饰层对器件性能的影响	第41-45页
3.7 本章小结	第45-46页
第四章溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究	第46-56页
4.1 实验设计	第46-47页
4.2 TFT器件制备	第47页
4.3 退火温度对氧化铟薄膜的影响	第47-48页
4.4 退火温度对器件性能的影响	第48-51页
4.5 基于燃烧合成法低温制备有源层的研究	第51-55页
4.5.1 燃烧合成法低温制备氧化铟有源层	第52页
4.5.2 燃烧合成法制备的有源层的表面形貌研究	第52-53页
4.5.3 燃烧合成法制备的器件性能研究	第53-55页
4.6 本章小结	第55-56页
第五章总结与展望	第56-58页
5.1 全文总结	第56-57页
5.2 展望	第57-58页
致谢	第58-59页
参考文献	第59-64页
攻读硕士学位期间取得的成果	第64-65页

本篇论文共65页，点击这进入下载页面。

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