论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 SiC材料的应用优势 | 第15-16页 |
| 1.2 SiC MOSFET研究现状和意义 | 第16-19页 |
| 1.3 4H-SiC非均匀掺杂浮结UMOSFET | 第19-21页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 4H-SiC功率UMOSFET器件模型以及仿真软件 | 第23-37页 |
| 2.1 仿真软件介绍以及求解基本方程 | 第23-24页 |
| 2.2 Mixed-Mode模式电路 | 第24页 |
| 2.3 4H-SiC UMOSFET器件仿真模型 | 第24-29页 |
| 2.3.1 能带结构模型 | 第25页 |
| 2.3.2 迁移率模型 | 第25-27页 |
| 2.3.3 不完全离化模型 | 第27页 |
| 2.3.4 碰撞离化模型 | 第27-28页 |
| 2.3.5 复合模型 | 第28-29页 |
| 2.4 浮结UMOSFET器件的电学参数 | 第29-35页 |
| 2.4.1 浮结UMOSFET器件的电学参数 | 第29-32页 |
| 2.4.2 浮结UMOSFET器件的AC参数 | 第32-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 4H-SiC UMOSFET栅氧化层保护结构的研究 | 第37-45页 |
| 3.1 栅极底部增加P+注入区对UMOSFET栅氧化层的保护 | 第37-39页 |
| 3.1.1 P+注入区对UMOSFET栅氧化层的保护作用 | 第37-38页 |
| 3.1.2 P+注入区对UMOSFET正向特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 厚底氧化物对栅氧化层的保护 | 第39-41页 |
| 3.3 浮结对UMOSFET栅氧化层的保护 | 第41-43页 |
| 3.3.1 浮结对UMOSFET栅氧化层的保护作用 | 第41-42页 |
| 3.3.2 浮结对UMOSFET正向特性的影响 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 非均匀掺杂浮结UMOSFET特性的仿真 | 第45-53页 |
| 4.1 双区浮结 4H-SiC UMOSFET仿真参数 | 第45页 |
| 4.2 双区浮结 4H-SiC UMOSFET正向IV特性仿真 | 第45-46页 |
| 4.3 双区浮结 4H-SiC UMOSFET阻断特性的仿真 | 第46-50页 |
| 4.3.1 双区浮结总电荷量一定条件下UMOSFET阻断特性的仿真 | 第46-49页 |
| 4.3.2 双区浮结上半部分掺杂浓度一定条件下UMOSFET阻断特性的仿真 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-53页 |
| 第五章 高斯掺杂与均匀掺杂浮结UMOSFET的比较 | 第53-63页 |
| 5.1 高斯掺杂浮结的设计 | 第53-54页 |
| 5.2 高斯掺杂与均匀掺杂浮结UMOSFET栅电荷的比较 | 第54-59页 |
| 5.3 高斯掺杂与均匀掺杂浮结UMOSFET开关特性的比较 | 第59-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
