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基于电荷平衡的超结LDMOS仿真和工艺设计
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基于电荷平衡的超结LDMOS仿真和工艺设计
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-16页
第一章 绪论第16-28页
　　1.1 功率半导体器件第16-18页
　　1.2 SJ-LDOMS功率器件第18-26页
　　1.3 ISE TCAD 10.0第26页
　　1.4 主要研究内容第26-28页
第二章 DNU SJ-LDMOS第28-38页
　　2.1 非平衡SJ-LDMOS第28-29页
　　2.2 DNU SJ-LDMOS电学特性分析第29-32页
　　　　2.2.1 导通特性第29-31页
　　　　2.2.2 阻断特性第31-32页
　　2.3 DNU SJ-LDMOS优化第32-37页
　　　　2.3.1 N2区掺杂浓度第32-34页
　　　　2.3.2 N2区位置第34-36页
　　　　2.3.3 分区个数第36-37页
　　　　2.3.4 衬底浓度第37页
　　2.4 本章小结第37-38页
第三章 NBB SJ-LDMOS第38-50页
　　3.1 NBB SJ-LDMOS介绍第38-39页
　　3.2 NBB SJ-LDMOS电学特性分析第39-44页
　　　　3.2.1 导通特性第40-42页
　　　　3.2.2 阻断特性第42-44页
　　3.3 NBB SJ-LDMOS优化第44-49页
　　　　3.3.1 N型埋层浓度第44-46页
　　　　3.3.2 N型埋层厚度第46-48页
　　　　3.3.3 N型埋层长度第48-49页
　　3.4 本章小节第49-50页
第四章 DNU SJ-LDMOS和NBB SJ-LDMOS工艺第50-64页
　　4.1 BCD工艺和传统SJ-LDMOS工艺第50-59页
　　　　4.1.1 BCD工艺第50-52页
　　　　4.1.2 SJ-LDMOS工艺第52-59页
　　4.2 DNU SJ-LDMOS工艺第59-61页
　　4.3 NBB SJ-LDMOS工艺第61-62页
　　4.4 本章小节第62-64页
第五章 总结第64-66页
　　5.1 结论第64页
　　5.2 展望第64-66页
致谢第66-68页
参考文献第68-72页
作者简介第72-74页

本篇论文共74页，点击这进入下载页面。
 
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