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AlGaN超晶格界面调控及其电学特性

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AlGaN超晶格界面调控及其电学特性
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第1章 绪论第8-20页
    1.1. 半导体超晶格材料第8-13页
      1.1.1. 半导体超晶格发展历程第8-9页
      1.1.2. 半导体超晶格概念、性质及其应用第9-10页
      1.1.3. 材料选择第10-13页
      1.1.4. 制备及测试分析第13页
    1.2. III族氮化物半导体材料第13-16页
      1.2.1. III族氮化物晶体结构第13-14页
      1.2.2. 氮化物材料的极化效应第14-16页
      1.2.3. 氮化物材料的其他性质第16页
    1.3. GaN/AlN半导体超晶格材料国内外研究进展第16-19页
      1.3.1. 本征材料的研究进展第17-18页
      1.3.2. 含有空位缺陷材料的研究进展第18页
      1.3.3. 调制掺杂结构材料的研究进展第18-19页
    1.4. 本论文主要内容第19-20页
第2章 计算方法与原理第20-28页
    2.1. 引言第20-22页
    2.2. 基于密度泛函理论的第一性原理计算第22-27页
      2.2.1. 近似方法第23-24页
      2.2.2. 密度泛函理论第24-27页
      2.2.3. 第一性原理的数值计算第27页
    2.3. 本文计算算法思想第27-28页
第3章 结构调控对本征GaN/AlN超晶格电学性质的影响第28-38页
    3.1. 引言第28页
    3.2. 模型构造及计算方法第28-29页
      3.2.1. 超晶格模型第28-29页
      3.2.2. 计算方法与参数设置第29页
    3.3. 计算结果与讨论第29-36页
      3.3.1. 纤锌矿结构第29-34页
      3.3.2. 闪锌矿结构第34-36页
    3.4. 本章小结第36-38页
第4章 空位对GaN/AlN超晶格电学性质的影响第38-46页
    4.1. 引言第38页
    4.2. 模型构造及计算方法第38-40页
    4.3. 计算结果与讨论第40-44页
      4.3.1. 晶体结构第40-41页
      4.3.2. 形成能第41-42页
      4.3.3. 电子态密度第42-44页
    4.4. 本章小结第44-46页
第5章 掺杂对GaN/AlN超晶格电学性质的影响第46-56页
    5.1. 引言第46页
    5.2. 模型构造及计算方法第46-47页
    5.2.1 超晶格模型第46-47页
    5.2.2 计算方法与参数设置第47页
    5.3. 计算结果与讨论第47-55页
      5.3.1. 晶体结构第47-49页
      5.3.2. 形成能第49-51页
      5.3.3. 电子态密度第51-55页
    5.4. 本章小结第55-56页
结论与展望第56-58页
参考文献第58-72页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第72-74页
致谢第74页

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