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MgZnO/ZnO异质结量子输运特性研究

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MgZnO/ZnO异质结量子输运特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
符号对照表第9-10页
缩略语对照表第10-13页
第一章 绪论第13-19页
  1.1 半导体材料的发展第13-14页
  1.2 国内外研究现状第14-17页
    1.2.1 国外研究现状第15-16页
    1.2.2 国内研究现状第16-17页
  1.3 论文的主要研究内容第17-19页
第二章 MgZnO/ZnO异质结材料特性及子带结构计算第19-33页
  2.1 ZnO的基本结构和性质第19-21页
    2.1.1 ZnO的晶格结构第19-20页
    2.1.2 ZnO的光电特性第20-21页
  2.2 MgZnO及MgZnO/ZnO异质结第21-26页
    2.2.1 MgZnO基本性质第21-22页
    2.2.2 MgZnO/ZnO异质结特性第22-24页
    2.2.3 极化效应第24-26页
  2.3 2DEG子带计算第26-28页
  2.4 2DEG的迁移率第28-31页
    2.4.1 散射基本理论第28-30页
    2.4.2 迁移率第30-31页
  2.5 总结第31-33页
第三章 势垒层厚度波动散射对2DEG迁移率的影响理论研究第33-43页
  3.1 势垒层波动的作用及其散射率模型第33-34页
    3.1.1 势垒层波动的作用第33-34页
    3.1.2 散射率模型第34页
  3.2 势垒层波动散射及其迁移率第34-37页
    3.2.1 势垒层厚度波动的散射第34-36页
    3.2.2 界面粗糙散射第36页
    3.2.3 位错散射第36-37页
    3.2.4 压电散射第37页
  3.3 MgZnO/ZnO异质结2DEG低温输运特性分析第37-41页
  3.4 本章小结第41-43页
第四章 多子带2DEG迁移率的温度特性研究第43-59页
  4.1 子带电子的概述及其多子带电子的分布第43-45页
    4.1.1 子带电子的概述第43-44页
    4.1.2 多子带电子的分布第44-45页
  4.2 主要的散射机制及其迁移率第45-54页
    4.2.1 电离杂质散射第45-46页
    4.2.2 声学波形变势散射第46-48页
    4.2.3 声学波压电散射第48-49页
    4.2.4 界面粗糙散射第49-50页
    4.2.5 光学波形变势散射第50页
    4.2.6 位错散射第50-51页
    4.2.7 极性光学波散射第51-52页
    4.2.8 合金散射第52-54页
  4.3 迁移率的温度特性第54-57页
  4.4 本章总结第57-59页
第五章 总结与展望第59-61页
参考文献第61-65页
致谢第65-67页
作者简介第67-68页

本篇论文共68页,点击这进入下载页面
 
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