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MgZnO/ZnO异质结量子输运特性研究
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MgZnO/ZnO异质结量子输运特性研究
论文目录
摘要
第1-6页
ABSTRACT
第6-9页
符号对照表
第9-10页
缩略语对照表
第10-13页
第一章 绪论
第13-19页
1.1 半导体材料的发展
第13-14页
1.2 国内外研究现状
第14-17页
1.2.1 国外研究现状
第15-16页
1.2.2 国内研究现状
第16-17页
1.3 论文的主要研究内容
第17-19页
第二章 MgZnO/ZnO异质结材料特性及子带结构计算
第19-33页
2.1 ZnO的基本结构和性质
第19-21页
2.1.1 ZnO的晶格结构
第19-20页
2.1.2 ZnO的光电特性
第20-21页
2.2 MgZnO及MgZnO/ZnO异质结
第21-26页
2.2.1 MgZnO基本性质
第21-22页
2.2.2 MgZnO/ZnO异质结特性
第22-24页
2.2.3 极化效应
第24-26页
2.3 2DEG子带计算
第26-28页
2.4 2DEG的迁移率
第28-31页
2.4.1 散射基本理论
第28-30页
2.4.2 迁移率
第30-31页
2.5 总结
第31-33页
第三章 势垒层厚度波动散射对2DEG迁移率的影响理论研究
第33-43页
3.1 势垒层波动的作用及其散射率模型
第33-34页
3.1.1 势垒层波动的作用
第33-34页
3.1.2 散射率模型
第34页
3.2 势垒层波动散射及其迁移率
第34-37页
3.2.1 势垒层厚度波动的散射
第34-36页
3.2.2 界面粗糙散射
第36页
3.2.3 位错散射
第36-37页
3.2.4 压电散射
第37页
3.3 MgZnO/ZnO异质结2DEG低温输运特性分析
第37-41页
3.4 本章小结
第41-43页
第四章 多子带2DEG迁移率的温度特性研究
第43-59页
4.1 子带电子的概述及其多子带电子的分布
第43-45页
4.1.1 子带电子的概述
第43-44页
4.1.2 多子带电子的分布
第44-45页
4.2 主要的散射机制及其迁移率
第45-54页
4.2.1 电离杂质散射
第45-46页
4.2.2 声学波形变势散射
第46-48页
4.2.3 声学波压电散射
第48-49页
4.2.4 界面粗糙散射
第49-50页
4.2.5 光学波形变势散射
第50页
4.2.6 位错散射
第50-51页
4.2.7 极性光学波散射
第51-52页
4.2.8 合金散射
第52-54页
4.3 迁移率的温度特性
第54-57页
4.4 本章总结
第57-59页
第五章 总结与展望
第59-61页
参考文献
第61-65页
致谢
第65-67页
作者简介
第67-68页
本篇论文共
68
页,
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。
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