载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特性变化的研究

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载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特性变化的研究

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载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特性变化的研究

论文目录
中文摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第一章绪论	第9-21页
1.1 材料简介	第9-13页
1.1.1 GaAs晶体	第9页
1.1.2 GaN晶体	第9-11页
1.1.3 InGaN晶体	第11-13页
1.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体辐照效应的研究现状	第13-19页
1.2.1 载能粒子辐照GaAs的研究	第13-14页
1.2.2 离子辐照GaN光致发光的研究	第14-15页
1.2.3 离子辐照InGaN光电性能的研究	第15-19页
1.3 本文的研究内容及意义	第19-21页
第二章基础理论	第21-31页
2.1 半导体发光理论	第21-26页
2.1.1 基本原理	第21-22页
2.1.2 本征发光	第22-23页
2.1.3 非本征发光	第23-25页
2.1.4 光致发光（PL）及其应用	第25-26页
2.2 辐照损伤	第26-31页
2.2.1 损伤机制	第26-27页
2.2.2 理论计算	第27-29页
2.2.3 辐照缺陷及缺陷能级	第29-30页
2.2.4 快重离子辐照效应	第30-31页
第三章实验过程	第31-38页
3.1 样品准备	第31-32页
3.2 辐照实验	第32-35页
3.2.1 低能离子辐照实验	第32-34页
3.2.2 快重离子辐照实验	第34-35页
3.3 退火实验	第35页
3.4 材料表征方法	第35-38页
3.4.1 PL谱测试	第35-36页
3.4.2 Raman光谱测试	第36-38页
第四章结果与讨论	第38-53页
4.1 质子与Kr离子辐照GaAs	第38-43页
4.1.1 PL谱结果	第38-40页
4.1.2 Raman光谱结果	第40-43页
4.2 Xe离子辐照In_xGa_(1-x)N	第43-50页
4.2.1 PL谱分析	第43-48页
4.2.2 退火后PL谱分析	第48-50页
4.3 快重离子辐照In_xGa_(1-x)N	第50-53页
第五章总结与展望	第53-55页
5.1 主要结果	第53-54页
5.2 工作展望	第54-55页
参考文献	第55-60页
在学期间研究成果	第60-61页
致谢	第61页

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