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载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特性变化的研究
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载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特性变化的研究
论文目录
中文摘要
第1-5页
Abstract
第5-9页
第一章 绪论
第9-21页
1.1 材料简介
第9-13页
1.1.1 GaAs晶体
第9页
1.1.2 GaN晶体
第9-11页
1.1.3 InGaN晶体
第11-13页
1.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体辐照效应的研究现状
第13-19页
1.2.1 载能粒子辐照GaAs的研究
第13-14页
1.2.2 离子辐照GaN光致发光的研究
第14-15页
1.2.3 离子辐照InGaN光电性能的研究
第15-19页
1.3 本文的研究内容及意义
第19-21页
第二章 基础理论
第21-31页
2.1 半导体发光理论
第21-26页
2.1.1 基本原理
第21-22页
2.1.2 本征发光
第22-23页
2.1.3 非本征发光
第23-25页
2.1.4 光致发光(PL)及其应用
第25-26页
2.2 辐照损伤
第26-31页
2.2.1 损伤机制
第26-27页
2.2.2 理论计算
第27-29页
2.2.3 辐照缺陷及缺陷能级
第29-30页
2.2.4 快重离子辐照效应
第30-31页
第三章 实验过程
第31-38页
3.1 样品准备
第31-32页
3.2 辐照实验
第32-35页
3.2.1 低能离子辐照实验
第32-34页
3.2.2 快重离子辐照实验
第34-35页
3.3 退火实验
第35页
3.4 材料表征方法
第35-38页
3.4.1 PL谱测试
第35-36页
3.4.2 Raman光谱测试
第36-38页
第四章 结果与讨论
第38-53页
4.1 质子与Kr离子辐照GaAs
第38-43页
4.1.1 PL谱结果
第38-40页
4.1.2 Raman光谱结果
第40-43页
4.2 Xe离子辐照In_xGa_(1-x)N
第43-50页
4.2.1 PL谱分析
第43-48页
4.2.2 退火后PL谱分析
第48-50页
4.3 快重离子辐照In_xGa_(1-x)N
第50-53页
第五章 总结与展望
第53-55页
5.1 主要结果
第53-54页
5.2 工作展望
第54-55页
参考文献
第55-60页
在学期间研究成果
第60-61页
致谢
第61页
本篇论文共
61
页,
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。
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