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基于场效应管串并联拓扑结构的高压纳秒脉冲电源的研究

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基于场效应管串并联拓扑结构的高压纳秒脉冲电源的研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第1章 绪论第11-25页
  1.1 研究意义和国内外现状第11-13页
    1.1.1 研究背景和意义第11-12页
    1.1.2 国内外研究现状第12-13页
  1.2 MOSFET的结构和特点第13-15页
  1.3 MOSFET的模型第15-16页
  1.4 MOSFET的关键参数第16-17页
  1.5 MOSFET的漏感的影响第17-18页
  1.6 MOSFET的开关损耗第18-19页
  1.7 雪崩三极管的结构特点和工作模式第19-24页
  1.8 雪崩三极管在脉冲发生器中的应用第24-25页
第2章 串联MOSFET驱动电路的设计第25-36页
  2.1 MOSFET驱动电路的基本原理第25-26页
  2.2 驱动电路的负载特性和输出阻抗要求第26-30页
    2.2.1 栅极驱动电路的电压限制第26-27页
    2.2.2 驱动电路的容性负载特性第27-29页
    2.2.3 驱动电路对低输出阻抗的要求第29-30页
  2.3 高压陡前沿MOSFET驱动电路的实现方式第30-32页
    2.3.1 使用雪崩三极管的驱动方式第30-31页
    2.3.2 图腾柱结构的驱动方式第31-32页
  2.4 栅极驱动电路的隔离方式第32-33页
  2.5 关断电路的设计第33-34页
  2.6 误导通和误关断的分析第34-36页
第3章 MOSFET实验电路仿真分析第36-47页
  3.1 MOSFET单元测试仿真电路第36-37页
  3.2 单个MOSFET构成的微脉冲发生器仿真电路第37-38页
  3.3 雪崩三极管推MOSFET的单元实验电路测试第38-39页
  3.4 串联MOSET脉冲发生器仿真电路第39-41页
  3.5 并联转串联的MOSET脉冲发生器仿真电路第41-47页
    3.5.1 稳态均压分析第42-44页
    3.5.2 开关暂态过程的均压分析第44-45页
    3.5.3 仿真结果分析第45-47页
第4章 串联MOSFET实验电路测试和性能分析第47-53页
  4.1 实验主电路的设计第47-49页
  4.2 Mosfet栅极驱动电路的设计和芯片选型第49-51页
  4.3 实验结果验证第51-52页
  4.4 本章小结第52-53页
第5章 总结第53-54页
参考文献第54-57页
致谢第57页

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