InGaAs纳米结构的制备及光电特性研究

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InGaAs纳米结构的制备及光电特性研究

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InGaAs纳米结构的制备及光电特性研究

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第1章绪论	第10-23页
1.1 引言	第10-15页
1.1.1 纳米半导体材料概述	第10-11页
1.1.2 纳米半导体器件及应用	第11-13页
1.1.3 纳米半导体材料研究的评价技术	第13-15页
1.2 铟镓砷纳米半导体材料	第15-21页
1.2.1 铟镓砷纳米材料的常用制备方法	第15-18页
1.2.2 铟镓砷纳米材料的应用	第18-20页
1.2.3 铟镓砷红外探测器研究现状和趋势	第20-21页
1.3 论文选题背景、意义及研究内容	第21-23页
第2章高质量铟镓砷纳米线的制备	第23-30页
2.1 引言	第23-24页
2.2 实验部分	第24-25页
2.2.1 实验试剂与材料	第24页
2.2.2 样品表征和测试仪器	第24页
2.2.3 铟镓砷纳米线制备	第24-25页
2.3 实验结果与讨论	第25-29页
2.3.1 产物SEM表征结果和分析	第25页
2.3.2 产物XRD表征结果和分析	第25-26页
2.3.3 铟镓砷纳米线TEM和EDS表征结果及分析	第26-27页
2.3.5 高质量铟镓砷纳米线形成机理研究	第27页
2.3.6 铟镓砷纳米线的光致发光特性研究	第27-29页
2.4 本章小结	第29-30页
第3章铟镓砷纳米线近红外探测器	第30-37页
3.1 引言	第30-31页
3.2 实验部分	第31-34页
3.2.1 实验试剂与材料	第31页
3.2.2 实验仪器	第31页
3.2.3 铟镓砷纳米线光电探测器的制做	第31-33页
3.2.4 纳米线光电探测器的特征参数	第33-34页
3.3 实验结果与讨论	第34-36页
3.3.1 In_(0.65)Ga_(0.35)As纳米线光探测器变波长光响应特性	第34-35页
3.3.2 In_(0.65)Ga_(0.35)As纳米线光探测器变功率光响应特性	第35页
3.3.3 In_(0.65)Ga_(0.35)As纳米线光探测器高性能分析	第35-36页
3.4 本章小结	第36-37页
第4章铟镓砷合金纳米带的制备	第37-44页
4.1 引言	第37-38页
4.2 实验部分	第38-39页
4.2.1 实验试剂与材料	第38页
4.2.2 样品表征和测试仪器	第38页
4.2.3 铟镓砷纳米带制备	第38-39页
4.3 实验结果与讨论	第39-42页
4.3.1 纳米带SEM表征结果和分析	第39页
4.3.2 纳米带TEM和EDS表征结果及分析	第39-40页
4.3.3 铟镓砷纳米带光致发光特性研究	第40-41页
4.3.4 不同组分铟镓砷合金纳米带制备	第41-42页
4.4 本章小结	第42-44页
结论与展望	第44-46页
参考文献	第46-54页
致谢	第54-55页
附录A 攻读硕士学位期间发表的学术论文	第55页

本篇论文共55页，点击这进入下载页面。

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