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高k栅介质Ge基MOS器件电特性模拟及界面特性研究
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高k栅介质Ge基MOS器件电特性模拟及界面特性研究
论文目录
摘要
第1-6页
Abstract
第6-10页
1 绪论
第10-17页
1.1 CMOS集成电路的发展
第10-11页
1.2 MOS器件面临的挑战
第11-12页
1.3 高k栅介质的研究概况
第12-13页
1.4 GeOI MOS器件研究的意义
第13-14页
1.5 GeOI MOS器件研究的进展
第14-15页
1.6 本文主要内容及结构安排
第15-17页
2 高k栅材料全耗尽GeOI MOSFET的结构优化
第17-29页
2.1 引言
第17页
2.2 器件结构和模型
第17-19页
2.3 模拟结果与讨论
第19-27页
2.4 本章小结
第27-29页
3 不同钝化层改善Ge MOS器件界面及电特性研究
第29-40页
3.1 引言
第29页
3.2 制备工艺流程
第29-32页
3.3 电特性测量及相关参数的提取
第32-33页
3.4 实验过程
第33-35页
3.5 电特性测量及其结果分析
第35-39页
3.6 本章小结
第39-40页
4 NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS电容界面特性的改善
第40-46页
4.1 引言
第40页
4.2 实验过程
第40-42页
4.3 电特性测量及其结果分析
第42-45页
4.4 本章小结
第45-46页
5 总结与展望
第46-49页
5.1 总结
第46-47页
5.2 展望
第47-49页
致谢
第49-50页
参考文献
第50-57页
本篇论文共
57
页,
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。
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