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高k栅介质Ge基MOS器件电特性模拟及界面特性研究

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高k栅介质Ge基MOS器件电特性模拟及界面特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-10页
1 绪论第10-17页
  1.1 CMOS集成电路的发展第10-11页
  1.2 MOS器件面临的挑战第11-12页
  1.3 高k栅介质的研究概况第12-13页
  1.4 GeOI MOS器件研究的意义第13-14页
  1.5 GeOI MOS器件研究的进展第14-15页
  1.6 本文主要内容及结构安排第15-17页
2 高k栅材料全耗尽GeOI MOSFET的结构优化第17-29页
  2.1 引言第17页
  2.2 器件结构和模型第17-19页
  2.3 模拟结果与讨论第19-27页
  2.4 本章小结第27-29页
3 不同钝化层改善Ge MOS器件界面及电特性研究第29-40页
  3.1 引言第29页
  3.2 制备工艺流程第29-32页
  3.3 电特性测量及相关参数的提取第32-33页
  3.4 实验过程第33-35页
  3.5 电特性测量及其结果分析第35-39页
  3.6 本章小结第39-40页
4 NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS电容界面特性的改善第40-46页
  4.1 引言第40页
  4.2 实验过程第40-42页
  4.3 电特性测量及其结果分析第42-45页
  4.4 本章小结第45-46页
5 总结与展望第46-49页
  5.1 总结第46-47页
  5.2 展望第47-49页
致谢第49-50页
参考文献第50-57页

本篇论文共57页,点击这进入下载页面
 
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