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高性能低维半导体材料/硅异质结光电探测器

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高性能低维半导体材料/硅异质结光电探测器
论文目录
 
致谢第1-6页
摘要第6-7页
Abstract第7-8页
缩略词表第8-12页
1 绪论第12-25页
  1.1 引言第12页
  1.2 光电探测器工作原理第12-15页
    1.2.1 基本工作原理第12-13页
    1.2.2 光电探测器的主要性能参数第13-15页
  1.3 与半导体材料结合的硅基光电探测器第15-23页
    1.3.1 二维材料石墨烯第15-18页
    1.3.2 氟化石墨烯第18-20页
    1.3.3 硅量子点第20-23页
  1.4 本文主要研究内容第23-25页
2 石墨烯/硅光电探测器第25-38页
  2.1 Gr/Si器件工作原理第25-26页
  2.2 石墨烯/硅光电探测器的制备第26-33页
    2.2.1 石墨烯的制备第26-27页
    2.2.2 Gr/Si器件制备工艺第27-31页
    2.2.3 器件制备细节及实验设备第31-33页
  2.3 Gr/Si光电二极管性能分析第33-37页
    2.3.1 Ⅰ-Ⅴ测试第33-34页
    2.3.2 Ⅰ-Ⅴ曲线拟合分析第34页
    2.3.3 Gr/Si光电探测器其他光电响应测试第34-37页
  2.4 本章小结第37-38页
3 FG与Gr/Si结合的异质结光电探测器第38-48页
  3.1 氟化石墨烯的制备第38-39页
  3.2 FG/Gr/Si光电探测器第39-44页
    3.2.1 FG/Gr/Si光电探测器工作原理第40页
    3.2.2 器件制备第40-41页
    3.2.3 FG/Gr/Si器件的光电测试第41-44页
  3.3 Gr/FG/Si异质结光电探测器第44-46页
  3.4 石墨烯与氟化石墨稀多重堆叠异质结器件第46-47页
  3.5 本章小结第47-48页
4 基于掺硼硅量子点/石墨烯光电探测器的研究第48-61页
  4.1 掺硼硅量子点的制备第48-49页
  4.2 掺硼硅量子点对Gr/Si器件的性能影响第49-54页
    4.2.1 硅量子点对Gr/Si器件的影响第49-50页
    4.2.2 掺硼硅量子点第50-52页
    4.2.3 Gr/B-SiQDs/Si光电探测器制备第52-54页
  4.3 B-SiQDs/Gr/Si与Gr/B-SiQDs/Si探测器的光电响应及分析第54-59页
    4.3.1 B-SiQDs/Gr/Si与Gr/B-SiQDs/Si器件响应第54-57页
    4.3.2 B-SiQDs/Gr/Si与Gr/B-SiQDs/Si光电器件的工作原理及比较第57-59页
  4.4 本章小结第59-61页
5 硒化铟硅基光电探测器第61-69页
  5.1 硒化铟材料的制备和表征第61-64页
    5.1.1 制备第61-62页
    5.1.2 表征第62-64页
  5.2 γ-In_2Se_3/Si光电探测器第64-68页
    5.2.1 硒化铟/硅光电探测器结构第64-65页
    5.2.2 γ-In_2Se3/Si光电探测器Ⅰ-Ⅴ测试及分析第65-67页
    5.2.3 γ-In_2Se_3/Si光电探测器时间响应测试第67-68页
  5.3 本章小结第68-69页
6 总结与展望第69-71页
  6.1 总结第69-70页
  6.2 展望第70-71页
参考文献第71-78页
作者简历及在攻读硕士学位期间取得的科研成果第78-79页

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