教育论文网

d36压电晶片激发管中导波的特性研究

硕士博士毕业论文站内搜索    
分类:教育论文网→工业技术论文→无线电电子学、电信技术论文半导体技术论文铁电及压电器件论文
d36压电晶片激发管中导波的特性研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第1章 绪论第8-14页
  1.1 课题来源及研究的背景和意义第8-9页
  1.2 管中导波的理论分析及应用综述第9-13页
    1.2.1 国外研究现状第9-11页
    1.2.2 国内研究现状第11-12页
    1.2.3 国内外文献综述的简析第12-13页
  1.3 主要研究内容第13-14页
第2章 管中导波理论与 d_(36)压电晶片第14-35页
  2.1 引言第14页
  2.2 管中的导波第14-21页
    2.2.1 周向类 Lamb 波第16-18页
    2.2.2 周向类 SH 波第18-19页
    2.2.3 管中轴向传播的导波第19-21页
  2.3 对称和非对称激励下管中的导波第21-25页
  2.4 管中导波的频散曲线分析第25-27页
  2.5 管中波结构的分析第27-30页
  2.6 d_(36)压电晶片第30-33页
    2.6.1 晶体的材料第30-31页
    2.6.2 压电常数矩阵以及变形特性第31-32页
    2.6.3 与传统 PZT 的区别第32-33页
  2.7 本章小结第33-35页
第3章 d_(36)压电晶片激发管中导波的数值模拟第35-49页
  3.1 引言第35页
  3.2 模型、激励及参数选择第35-38页
    3.2.1 管结构与压电晶片建模第35-37页
    3.2.2 建模参数的确定第37-38页
    3.2.3 激励信号第38页
  3.3 d_(36)压电晶片激励下管中的位移场第38-42页
  3.4 质点导波位移时程分析第42-48页
    3.4.1 轴向波位移结果分析第42-44页
    3.4.2 周向位移结果分析第44-45页
    3.4.3 波阵面与波速第45-48页
  3.5 本章小结第48-49页
第4章 管中导波的试验研究第49-63页
  4.1 引言第49页
  4.2 基于 d_(36)的管中导波试验第49-61页
    4.2.1 导波模态的选择第49-51页
    4.2.2 试验的意义与目标第51页
    4.2.3 试验系统的组成第51页
    4.2.4 试验检测方法第51-53页
    4.2.5 非对称激励下管中的导波第53-56页
    4.2.6 对称激励下管中的导波第56-58页
    4.2.7 T(0,1)模态在管壁上的分布情况第58-61页
  4.3 本章小结第61-63页
结论第63-64页
主要参考文献第64-69页
致谢第69页

本篇论文共69页,点击这进入下载页面
 
更多论文
d36压电晶片激发管中导
1200V碳化硅MOSFET的仿真设计和优化
InAlN/GaN HEMT的直流特性及电流崩
带栅场板和新型漏场板的AlGaN/GaN
GaN基FP-HEMT器件的新结构与解析模
高κ叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特
用于微光CCD的关联成像软件开发
多通道视频信号处理芯片测试筛选系
Y2O3/Si MO
高K/GaAs MOS界面特性仿真研究
基于SiC功率器件的光伏系统DC-DC设
基于电场调制的新型横向超结功率器
纳米MOS器件TID与HCI效应关联分析
基于电荷平衡的超结LDMOS仿真和工艺
65nm工艺下MOSFET的总剂量辐照效应
基于场板和LDD技术的AlGaN/GaN HEM
团队挑战性和阻碍性压力对团队创造
非共振等离子体波THz器件响应研究
薄势垒F注入AlGaN/GaN HEMT器件特性
NMOS器件热载流子效应研究
凹槽栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性
新型低压LDMOS结构设计与仿真
基于应力调控的硅基氮化镓材料和器
GaN基Ka波段HEMT器件及MMIC功率放大
GaN基HEMT器件的变温特性研究
GaN基增强型HEMT器件及E/D模电路研
AlGaN/GaN HEMT建模与电路设计
表面处理对AlGaN/GaN HEMT器件电学
X波段GaN MMIC功率放大器设计
增强型双异质结器件特性研究
透明栅AlGaN/GaN HEMT器件退火及光
新型沟槽LDMOS和N型覆盖层超结LDMO
高介电常数叠栅介质的淀积工艺与特
隧穿场效应晶体管工艺及新结构的仿
新型AlGaN基电力电子器件研究
非极性面AlGaN/GaN异质结各向异性迁
具有新型栅结构的4H-SiC MESFETs设
针对缓冲层改进的4H-SiC MESFETs新
基于FinFET SRAM单粒子效应仿真研究
InAlGaN/AlGaN复合势垒层的GaN异质
膦酸自组装层(SAMs)在n型有机场效
便携式线阵CCD综合测量仪的设计与实
延伸摩尔定律——基于GeSn的高性能
TFET单元库设计技术研究
一种低导通电阻60V Trench MOSFET的
基于横向可变降低表面电场技术的新
功率MOSFET的开关动态过程建模和优
基于场效应管串并联拓扑结构的高压
BaTiO3基无铅PTC热敏电
高温NTC热敏电阻的研究
基于TSV的铜柱应力分析及结构优化
 
管结构论文 水平剪切波论文 扭转波论文 导波
版权申明:目录由用户chl20050105**提供,www.51papers.com仅收录目录,作者需要删除这篇论文目录请点击这里
| 设为首页||加入收藏||站内搜索引擎||站点地图||在线购卡|
版权所有 教育论文网 Copyright(C) All Rights Reserved