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微纳器件介电薄膜的制造工艺与特性研究
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微纳器件介电薄膜的制造工艺与特性研究
论文目录
致谢
第1-6页
摘要
第6-7页
缩略词表
第7-8页
Abstract
第8-12页
1 绪论
第12-22页
1.1 引言
第12-14页
1.2 介电薄膜的应用背景
第14-16页
1.3 高K栅介质的选择
第16-19页
1.3.1 Si_3N_4和SiO_xN_y
第17页
1.3.2 ⅣB元素(Ti、Zr、Hf)氧化物
第17-18页
1.3.3 ⅢA元素(Al)氧化物
第18页
1.3.4 ⅢB族金属(Y、La)氧化物
第18-19页
1.3.5 ⅤB族金属(Ta)氧化物
第19页
1.4 论文的研究目的和内容
第19-22页
2 介质薄膜的漏电机理分析
第22-36页
2.1 介质薄膜的导电机理
第22-23页
2.2 电极限制型导电机理
第23-28页
2.2.1 肖特基(或热离子)发射
第23-25页
2.2.2 F-N隧穿
第25-26页
2.2.3 直接隧穿
第26-27页
2.2.4 热离子场发射
第27-28页
2.3 体限制型导电机理
第28-36页
2.3.1 普尔-法兰克发射
第28-29页
2.3.2 跃迁传导
第29-30页
2.3.3 欧姆电导
第30-31页
2.3.4 空间电荷限制电导
第31-33页
2.3.5 离子电导
第33-36页
3 Ta_2O_5薄膜特性研究
第36-60页
3.1 薄膜制备方法
第36-41页
3.1.1 直流磁控溅射
第36-38页
3.1.2 化学气相沉积
第38-39页
3.1.3 原子层淀积
第39-41页
3.2 薄膜生长及其表征方法
第41-45页
3.3 实验中样品的制备
第45-49页
3.3.1 DC Sputtering制备W电极
第46-47页
3.3.2 ALD制备Al_2O_3/ZnO薄膜
第47-49页
3.3.3 CVD制备Ta_2O_5薄膜
第49页
3.4 Ta_2O_5薄膜特性分析
第49-60页
3.4.1 表面光滑作用
第49-53页
3.4.2 电学特性分析
第53-60页
4 CeO_2与La_2O_3薄膜特性研究
第60-71页
4.1 La_2O_3/Si的热稳定性研究
第60-64页
4.2 CeO_2/La_2O_3/Si的XPS研究
第64-71页
5 总结与展望
第71-74页
5.1 总结
第71-73页
5.2 展望
第73-74页
参考文献
第74-82页
作者简历及在学校期间所取得的科研成果
第82-83页
作者简历
第82页
发表和录用文章
第82-83页
本篇论文共
83
页,
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